集成电路设计技术与工具mos原理补充.pptVIP

半导体与器件物理 山东科技大学信息学院 半导体器件的行为特性 如何用等效电路建立模型 二极管(Diode) pn结 n型区 施主杂质 p型区 受主杂质 单向导电性 pn结的耗尽区 反向偏置 (Reverse-biased) 耗尽区 （Depletion region) 内建电势 本征载流子浓度 结两边每单位空间的总电荷电量相等，极性相反 二极管模型 理想方程 导通固定压降 势垒电容（Junction Capacitance) 正向偏置： 反向偏置： 耗尽层电容 耗尽区电荷 耗尽区宽度 最大电场 次级效应--结击穿 耗尽区最大的电场在结点处，有 由于耗尽区附近有少子空穴和电子存在，所有的反偏pn结多会产生一个反向小电流，在电场作用下，少子穿过耗尽区，形成结的漏电流。 当反向偏压继续增加时，最大场强也增大，耗尽区中载流子携带的能量也增加。 在临界区里，穿过耗尽区的载流子携带的能量足以与硅原子碰撞产生新的空穴-电子对。 新产生的载流子能造成雪崩效应，反偏漏电流急剧增大—雪崩击穿。 雪崩击穿 结掺杂浓度 临界电场 且随着浓度增加缓慢增加 根据二极管I-V特性，没发生雪崩击穿时正常反偏电流 ，在击穿电压附近，是即反偏电流 M为倍增因子，n=3~6 雪崩电流可通过外加电阻来限制 大电流、高功耗—永久损坏 齐纳击穿 齐纳二极管 工作在雪崩区的