200kv场发射冷冻透射电子显微镜系统（带为必须满足的参.docVIP

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2017-06-08 发布于天津
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200kv场发射冷冻透射电子显微镜系统（带为必须满足的参.doc

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200kv场发射冷冻透射电子显微镜系统（带为必须满足的参

200kV场发射冷冻透射电子显微镜系统：带*为必须满足的参数 1．电子枪类型：场发射电子枪 *2. 点分辨率：≤ 0.30nm *3. 线分辨率：≤ 0.15nm *4. 加速电压：20kV -200kV；加速电压连续可调 *5. 放大倍数： 50x – 500kx 6．束流：1nm束斑电流 ≥ 0.5nA 7．样品移动范围：X,Y ±1.0 mm；Z : ±0.2 mm 8．自动化单颗粒数据采集 9．可进行自动化三维重构分析，最大倾斜角度：± 70° 10．底装电子直接检出相机：像素至少4096 x 4096像素，全尺寸照片至少拍摄速度30fps，实时计数功能，配备快速找样CCD相机，高剂量电子束辐照保护软件 11．完全无油真空系统 12．冷冻专用防污染设计 13．冷冻样品杆观察时间8小时以上 14．STEM模式分辨率：≤ 0.22nm，高角环形暗场探头（HAADF） 15．配备常温和高倾转常温样品杆，以及冷冻样品杆（两根）和工作台；冷冻样品杆漂移速率：≤ 1.5nm/min 16．单颗粒悬浊液冷冻样品制备设备：样品仓温度范围+4℃?至 +50℃，湿度范围最大至99%；冷冻过程各步骤数字化控制时间精度0.1s；液膜制备过程中液体吸附部分和样品间的接触力度、角度、距离可精确控制 17．冷冻切片样品制备设备：温度范围+40℃?至 -185℃；冷冻切片厚度10nm-10μm；玻璃条制刀机；数字化操控。 18. 环境改造（抗震、抗磁等达标） 19. 三年质保