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* 第一章 晶体二极管(Diode) 内容： 1、简单讨论半导体的特性（熟悉常用术语） 2、二极管特性——模型分析法（分段线性模型） 应用电路 整流 稳压 限幅 positive negative 1.1 半导体物理基础知识 硅（Si） 锗（Ge） 砷化镓（GaAs） 简化模型 硅和锗的原子结构模型 价电子 硅和锗共价键结构 原子晶阵四面体结构 一 本征半导体(Intrinsic Semiconductors) 完全纯净,结构完整的半导体晶体。 T=0K（–273℃），本征半导体中没有可移动的带电粒子（载流子），不能导电，相当于绝缘体。 1、本征激发 T↑（或光照）→价电子获得能量→挣脱共价键束缚→自由电子→共价键中留下空位（空穴） 空穴 带正电 能移动（价电子填补空位的运动） 载流子 本征激发→产生两种载流子 （自由）电子 空穴 特征：成对出现，数目相等。 复合：本征激发逆过程（电子空穴相遇→释放能量→成对消失） 2、热平衡载流子浓度ni T一定时，本征激发和复合达到动态平衡，此时载流子浓度ni是一定的。 ni=p0 =n0 p0 热平衡空穴浓度 n0 热平衡电子浓