VLSI-07第二章 氧化(下).pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 Qit和下列因素有关：氧化温度，氧化气氛（湿氧、干氧），晶向等 Qit和干氧氧化温度的关系1）Qit 随温度升高而降低；2）在能带中间部分， Qit(100)比Qit(111)低约5倍 降低Qit的方法低温金属化后退火（PMA） （low temperature post-metallization anneal)在H2或H2－N2（Forming Gas Annealing, FGA）中350－500 ?C退火30分钟 退火前，Qit约1011 cm-2eV-1 退火后，Qit约1010 cm-2eV-1 - 可应用 3、可动离子电荷，Qm（mobile ionic charge） 厚度测量 机械法 比色法 椭偏法 光干涉法 C-V测量 2、比色法 3、光干涉法（Interferometry） 由光的相干原理，膜表面与界面反射二束光相干涉。由光学原理，两束光的光程差为入射光的波长整数倍时出现加强的亮度 4、椭偏法（Ellipsometry） 椭偏法是一种非常精确、非常灵活的测试方法 厚度测量: 测量结果给出周期性的厚度结果 需要知道薄膜的一些性质 多种波长测量 厚度和折射率（refractive index）： 可以决定不同材料的厚度及折射率 多层薄