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第四章 常用半导体分立器件 Diode, Transistor 半导体的基本知识与PN结 半导体二极管及其应用电路 双极型三极管 绝缘栅型场效应管 4.1 半导体的基本知识与PN结 一、 半导体的基本知识 半导体器件是构成电子线路的基本元件，所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。 在大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）中主要使用硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料。 第一代半导体材料 以Si，Ge为代表； 第二代半导体以GaAs, InP为代表；， 第三代半导体：III族氮化物半导体材料（GaN） 本征浓度 复合—自由电子和空穴在热运动中相遇而释放能量，电子空穴成对消失。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 4. 杂质半导体(Impurity~) 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 即使得自由电子和空穴的数量差别极大，且其导电性能由杂质的类型和掺杂的数量支配，而不再取决于温度。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体（电子半导体），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体（p-type~ or P-semiconductor 空穴半导体）。 N型半导体 — 掺入5价元素如砷（As）、磷（P） 4.2 半导体二极管及其应用电路 3. 二极管伏安特性 4. 主要参数（教材P114） 5. 二极管的电路模型 二、 二极管应用电路 例4.2.3 三、 特殊二极管 4.3 双极型三极管 三极管的结构和工作原理 三极管的特性曲线和主要参数 一、半导体三极管的结构和工作原理 我国：－1957年，通过还原氧化锗，锗单晶，并制作出锗晶体管。 －1959年，硅（Si）单晶。 1. 三极管的结构与符号 2.电流分配与放大作用 二、 三极管的特性曲线和重要参数 1.三极管的特性曲线 例4.3.1 例4.3.2 2.三极管的主要参数 3. 三极管的其它形式 第三次实验：实验四 一阶RC电路过渡过程的研究（P87） 需要预习仪器的使用方法：示波器、信号发生器、交流毫伏表（参见实验书第三章内容） 第四次实验：实验五 单管交流放大电路（P90） 第五次实验：实验三 集成运算放大器实现的运算电路 （P111） 2. 整流电路 当us0，D导通，uo=us； 半波整流电路 当us0，D截止，uo=0。 设二极管理想，根据us波形，画出uo波形？ 4.2半导体二极管及其应用电路 + – 3. 限幅电路 二极管D1、D2用恒压源模型，UON=0.7V。 当uSUON时，D1导通，D2截止， uo=0.7V； 当uS ?UON时，D2导通，D1截止， uo=?0.7V； 当| uS | UON时，D1、D2均截止， uo= us。输出电压被限幅在?0.7V，称双向限幅电路。 + – 在图中，输入电位 VA = + 3 V， VB = 0 V， 电阻 R 接负电源 –12 V。设二极管的正向压降是 0.3V,求输出端电位 VO。 因为VA 高于VB ，所以D1 优先导通。二极管的正向压降是 0.3V，则 VO = + 2.7V。 当 D1 导通后, D2 因反偏而截止。 D1起钳位作用，将输出端电位钳制在 + 2.7 V。 解： D1 ?12V Vo D2 VA VB 4.2半导体二极管及其应用电路 一种特殊的面接触型半导体硅二极管，工作于反向击穿区。 I/mA O UZ IZ IZM + ? 正向 ? + 反向 ?UZ ?IZ U/V 1. 稳压管 稳压管反向击穿后，电流虽在很大范围内变化，但其两端的电压变化很小。——稳压特性，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 半导体二极管及其应用电路 1）符号及特性 2）稳压管的主要参数： 1. 稳定电压UZ 4. 稳定电流 IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 3. 动态电阻 rZ 2. 电压温度系数 ?U （%/℃） 5. 最大允许耗散功率 PZM 稳压值受温度变化影响的系数。 4.2半导体二极管及其应用电路 电阻的作用: ?起限流作用，以保护稳压管； ?当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 3）稳压二极管应用 正常稳压时 UO =UZ 稳压条件是什么？ IZmin ≤