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表面态 表面处晶体的周期场中断； 表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性； 表面往往要特殊保护措施，如钝化 表面是器件制备的基础，如MOSFET等 三、真实表面 1.清洁表面： 在超高真空(UHV) (～10-9Torr)环境中解理 晶体，可以在短时间内获得清洁表面，但与 理想表面不同：解理后的表面易形成再构 2.真实表面 自然氧化层（~ nm）－大部分悬挂键被饱 和，使表面态密度降低 表面态密度1010~1012cm-2（施主型、受主型） 表面电场效应 如图装置是MIS结构。 (Metal-Insulator-Semiconductor) 中间以绝缘层隔开的金属板和半导体衬底组成的，在金/半间加电压时即可产生表面电场。 结构简单，影响因素多。（功函数、带电粒子，界面态等） 空间电荷层及表面势 VG=0时，理想MIS结构的能带图 MIS的应用 MIS器件的功能主要决定于其中绝缘体层的厚度： （1）假若绝缘体层的厚度足够大（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大于5nm），则基本上不导电，这时即为MIS电容器； （2）假若绝缘体层的厚度足够薄（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大约为1nm），则绝缘体基本上不起阻挡导电的作用（阻抗极小），这时即为Schottky二极管； （3）假若绝缘体层的厚度不是很薄、也不是很厚（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大约为1nm～5nm），则这时载流子有较大的几率通过隧道效应而穿过绝缘体层，这种结构的器件即称为MIS隧道二极管。 （二）MIS隧道器件： 由于MIS隧道二极管的独特性能，具有许多用途，现在已经发展成了一大族的器件（MIS隧道器件），如MIS太阳电池、MIS开关管、MIM隧道二极管、MIMIM隧道晶体管等 。 归纳： 多子堆积 VG=0 平带状态 EC EV EF Ei VG0 M I S M I S EFm EC Ei EFs EV ECI EVI VG0 EC EV Ei EF 多子耗尽 EC EV Ei EF 少子反型 VG0 * 半导体表面态与 表面电场效应 ————贾鹏飞 一、表面的特殊性 达姆在1932年用量子力学严格证明，晶体的自由表面的存在，使得周期性势场在表面处发生中断，引起附加能级，电子被局域在表面附近，这种电子状态称为表面态，所对应的能级为表面能级。每个表面原子对应一个能级，组成表面能带。 表面态定义 理想一维晶体表面态 x V(x) V0 E 0 a EV0 第一组解：等同于一维无限周期场的解 第二组解：对应于表面态 薛定谔方程为 在表面x=0两边，波函数指数衰减，说明电子分布几率主要集中在x=0处，即电子被局限在表面附近 每个表面原子对应禁带中一个表面能级，这些能级组成表面能带。 Si Si Si Si Si Si Si 硅表面悬挂键示意图 悬挂键的存在，表面可与体内交换电子和空穴 获得电子—带负电 获得空穴—带正电 硅表面原子密度∽1015cm-2,悬挂键密度也应为∽ 1015cm-2 从化学键方面分析，在晶体最外层的原子存在未 配对的电子，即未饱和的键－－悬挂键，与之对 应的电子能态就是表面态。 除了上述表面态外，在表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态。 表面缺陷和吸附原子 这种表面态的特点是，其表面态的大小与表面经过的处理方法有关；而达姆表面态对给定的晶体在“洁净”表面时为一定值大约为1015cm-2(每个表面原子对应禁带中的一个能级)，实际上由于表面被其它原子覆盖，表面态比该值小得多，为1010～1015cm-2 。 3.界面 掺杂不同－Si pn(同质结)、不同半导体－异质结 金半接触－肖特基接触 晶粒间界－多晶结构 金属－氧化物－半导体－MOSFET 半导体表面效应支配着大部分半导体器件的特性。 MOS（金属—氧化物—半导体）器件 电荷耦合器件CCD 表面发光器件等利用半导体表面效应 半导体表面研究，半导体表面理论发展，对改善器件性能，提高器件稳定性，探索新型器件等具有重要意义。 O S M 金属 绝缘层 半导体 欧姆接触 C0 Cs VG MIS结构示意图 MIS结构的等效电路 现在理想情况 假设MIS结构满足以下条件： （1）金属与半导体功函数差为0； （2）在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； （3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 讨论理想MIS结构金/O/半间加电压产生垂直于表面 的电场时，半导本表面层内的电势及电荷分布情况。 金属 绝缘层 半导体 欧姆接触 M I S EFm EC Ei EFs