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拓扑绝缘体

School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 3、拓扑绝缘体 3.1、绝缘体、导体和拓扑的概念 3.2、整数量子霍尔效应和自旋量子霍尔效应 3.3、拓扑绝缘体实例 3.4、拓扑绝缘体的应用 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 3.1、绝缘体、导体和拓扑的概念 绝缘体:不善于传导电流的物质。 导体:电阻率很小易于传导电流的物质。 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 拓扑是研究几何物体在连续的形变中保持不变的量,它的特点是对于细节和连续变化不敏感。 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 整数量子霍尔效应是在1980年,Klaus von Klitzing在研究半导体异质界面处的二维导电层在低温、强磁场环境下的输运性质时发现, 其霍尔电阻在强磁场下偏离与磁场的线性关系, 呈现出阶梯形状的 现象。且每个阶梯平台所对应的电阻值精确满足 , 其中 ?为普朗克常数, e为电子电量, v为一个整数。 图片引自:Klitzing K V, Dorda G, Pepper M. Phys. Rev. Lett. 1980, 45: 494-497; 3.2、整数量子霍尔效应和自旋量子霍尔效应 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 自旋量子霍尔效应是在不加外部磁场的情况下,材料依靠自身的自旋轨道耦合,强自旋轨道耦合将导致能带反转。能带翻转后,材料能隙中将会产生一对边缘态,两支边缘态具有相反的自旋并且交于一点的现象。它同量子霍尔效应最大的区别在于引入了强的自旋轨道耦合来代替了外加的强磁场。 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 拓扑绝缘体是指在强的自旋轨道耦合的作用下,其体能态表现为绝缘体性,表面则是金属性的一种物质。 3.3、拓扑绝缘体实例 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 德国的 Molenkamp 研究组通过 MBE 的生长办法制备出了不同厚度的 Gd Te/Hg Te/Gd Te 超晶格,他们取中间层的厚度为d。并且他们在零场的情况下,测出中间层 Hg Te 存在一个临界宽度 dc。 当d dc时,样品几乎处于绝缘态,表现为半导体。 当d dc时,样品具有了两倍量子电导 ,时间反演不变的自旋霍耳系统的边缘态存在两个通道,因此中间层能带反转材料 Hg Te 起主要作用。此时的样品只有边缘态参与了导电。 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 图片引自:K?onig M, Wiedmann S, Brune C et al. Science 2007, 318: 766-770; School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 对应于Gd Te/Hg Te/Gd Te超晶格的难于制备和热稳定性差,含毒性元素,不利于大规模生产和应用等缺点。在2008 年, 张首晟研究组预言了一种基于传统 III-V 族半导体的二维拓扑绝缘体材料AlSb/InAs/GaSb/AlSb。之后理论物理学家又预言了具有接近二维蜂窝结构的Bi、Si、Ge、Sn等元素的单层或几层薄膜是二维拓扑绝缘体。 School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University 《高等量子力学》课堂报告--G7 三维拓扑绝缘体的体态是绝缘性的,边界上存在着

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