第1章 常用半导体器件14-15-2.ppt

1、晶体管内部载流子的运动 IB IC IE VBB RB VCC RC N P N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 由上所述可知: 1 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB  当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 复合与扩散到集电区的电子数目满足统计学规律 直流放大倍数 交流放大倍数 两者之间的关系 2、晶体管的共射电流放大系数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V UBE /V IB/ μA O 材料不同，死区电压不同 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 RC B C E O 2. 输出特性曲线 IC = g (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 RC B C E O UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 截止区 放大区 饱和区 3.主要参数 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 交流电流放大系数β=△IC / △IB 直流电流放大系数β=IC / IB 电流放大系数 极间反向饱和电流 μA ICBO C E B ICEO C B E μA 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 极限参数 温度每升高10oC，ICBO增加约一倍 4.温度对晶体管特性及参数的影响 2 1 T ICBO增大 T 输入特性曲线左移 3 T 输出特性曲线上移且β增大 请问：以下知识点你掌握了吗？ 1. 晶体三极管有几个区？几个极？几种类型？ 2.三极管的内部特性？放大的外部特性？ 3.如何判断三极管工作在哪个区？ 4.晶体三极管的重要参数有几个？分别为？ 返回本章首页 1.4 场效应管 场效应管的特点 电压控制元件 体积小、重量轻、耗电少、寿命长 输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成 2 1 3 场效应管的分类 结型 绝缘栅型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 1.4.1 结型场效应管 栅极 源极 漏极 1. 结构特点 P沟道结型场效应管 2. 工作原理 UGS＜ 0使沟道变窄 UDS 0使漏极电流增强 两者平衡使电流稳定 3. 特性曲线 (1)输出特性曲线 输出特性曲线用来描述UGS取一定值时，电流iD和电压UDS间的关系，即它反映了漏-源电压UDS对iD的影响。 （2）转移特性曲线 它反映了栅-源电压UGS对iD的控制作用。 (3). 低频跨导gm MOS管 一、 N沟道增强型MOS管的结构 1.4.2 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型MOS管的工作原理 1．uGS对iD及沟道的控制作用 uGS对iD及沟道的控制作用 2．uDS对iD的影响 二、 N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程 1．特性曲线和电流方程 (1)输出特性曲线 (2) 转移特性曲线 式中IDO是UGS=2 UGS(th) 时的漏极电流iD。 -1 (3)电流方程 六 场效应管与三极管的性能比较 　1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射 极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 　2．场效应管是电压控制电流器件，由UGS控制iD，其放大系数 gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制 电流器件，由iB（或iE）控制iC。 　3．场效应管栅极几乎不取电流（ig?0）；而三极管工作时基极 总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入 电阻高。 　4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载 流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以 场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件 （温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 　　　5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使