第一章半导体器件与工艺技术的发展2.pptx

第一章、半导体器件与工艺技术的发展2半导体工艺技术中国半导体工业的发展微电子技术发展一、半导体工艺技术的发展推动半导体业进步的两个轮子：工艺尺寸缩小和硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。超大规模集成电路的设计和制造所需的快速技术变化，导致新设备和新工艺的不断引入。每隔18到24个月，半导体产业就引入新的制造技术。伴随微芯片技术的发展有三个主要趋势：提高芯片性能 提高芯片可靠性 降低芯片成本1.1 趋势1：提高芯片性能从20世纪60年代早期，小规模集成电路时代以来，半导体微芯片的性能已得到了巨大的提高。判断芯片性能的一种通用方法是速度。器件做得越小，在芯片上放置得越密，芯片的速度就会越快。这是因为通过电路得电信号传输距离更短了。提高速度的另一方法：使用材料，通过芯片表面的电路和器件来提高电信号的传输。 关键尺寸 芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。 描述特征尺寸的另一个术语是电路几何尺寸。硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD。 自半导体制造业开始以来，器件的CD一直在缩小，从20世纪50年代初期以大约125um的CD开始，目前主流是45nm或者更小，可以量产的最小CD已达到28nm。 半导体产业使用“技术节点”这一术语描述在硅片制造中使用的可应用CD。从1um以下的CD实际的和预计的产业技术节点如下表所示。 观察近期的报道，