标准单元库SCL.pptxVIP

标准单元库(SCL)BJTU内容SCL的简介SIMC18的SCL的介绍SCL的设计SCL包括版图库、符号库、电路逻辑库等包含了组合逻辑、时序逻辑、功能单元和特殊类型单元IC后端设计过程中的基础部分。一般每个工艺厂商在每个工艺下都会提供相应的标准单元。SCL用途:标准单元库用来为逻辑综合及布局布线工具提供支持，导出以下文档用来进行支持：GDSII文件：包含了单元的版图信息，用来合成最终的全芯片版图；SCLLEF文件： 本文件是SOC ENCOUNTER环境下用于进行布局布线的文件，该文件为布局布线工具提供了工艺信息和各个单元的几何特性。SCL时序文件: 时序文件用于Design Complier及其他数字综合工具进行门级综合，用于SOC ENCOUNTER等布局布线工具进行时序优化和调节。SIMC18的SCLLib文件：.lib库是在门级综合时用到的库。SIMC18的SCLSIMC18的SCLSIMC18的SCLSIMC18的SCLLEF文件：后端布局布线时用到的文件。布局布线文件主要由基本属性、工艺描述和单元描述三部分组成，分别对应系统信息、工艺规则和单元的版图表象描述。SIMC18的SCLSIMC18的SCLSIMC18的SCL.tf技术文件.clf标准CORE和IO单元的TT,FF,SS三种工艺角的时序模型，包括逻辑，时序，功耗信息。.cdl标准CORE单元网表，主要是LVS检查.map输入输出层的映射文件.tlf标准单元的TT,FF,SS工艺角的时序库文件.nxtgrd晶体管级提取的技术文件SIMC18的SCL.gds标准CORE和IO单元的GDSII数据库.slib/.sdb标准CORE和IO单元的符号库.defCORNER描述文件.lef标准CORE和IO单元的库转换形式描述文件.v标准单元的行为级描述.spc标准CORE单元的Spice网表.lib/.db标准CORE单元的Synopsys的时序模型.gcf时序库模型的描述文件SCL的设计标准制定1) 需要设计的单元库器件，并给出列表。2) 标准单元库的高度(track数)3) 在版图中的版面两单元间的中心距距离(Pitch)4) MOSFET 中 PMOS 与 NMOS 的宽度比5) 单元库器件的驱动能力SCL的设计电路图级别的设计一般来说电路的设计中的目标，是将速度，功耗和面积这三个指标综合达到最优状态。同时所设计出来的器件的功能(function)和时序(timing)也需要通过SPICE 等工具进行相关的验证。SCL的设计版图设计和验证常用的版图验证有 DRC(Design Rule Check)和 LVS(Layout Vs Schematic)这两步的验证。Design Rule 则通常根据Foundry 厂商所提供的物理特性进行验证。其中需要注意的是 Pin 的摆放位置需要符合 Pitch 的标准，这样的规定是为了防止天线效应的产生。SCL的设计器件性能标注(Cell Characterization) Cell Characterization 是将标准单元库的性能参数从实际电路中抽取出来运用到设计工具(Design Kits)的一个抽象化过程。这个过程相当于将工艺的性能和实际的电路设计构建一个桥梁。SCL的设计单元库的质量验证1)保证数据的连续性;2)保证时序的连续性;3)模型行为检查;4)反向标注检测;5)布局布线验证;6) DRC 和 LVS 检测。SCL的设计晶圆验证晶圆验证是指在大规模生产前，将标准单元器件在晶圆上进行试生产(Tape-Out)，然后将验证模块直接与被测试器件的外部输入和输出端口相连接。通常采用测试向量进行测试，因为测试向量能够验证所有的逻辑功能是否出错。多阈值电压单元库设计在纳米级工艺中，漏电流所产生的功耗已经在整个芯片的功耗中占据着越来越大的比重。设计者已经开始会采用多阈值电压的方法来对电路性能以及功耗进行平衡。之所以采用多阈值电压是因为阈值电压较低的 MOSFET 来说其饱和电流大速度快但漏电流也大，而对于阈值电压高的MOSFET 来说则有漏电流小但速度慢的特点。0.13μｍ抗辐射SOI CMOS标准单元库设计谢谢！子模块 Layer Definition、Contact Definition 和 Spacing Rule 是工艺规则的提取，同时，也为使用单元库进行布局布线设定了工艺规则。子模块 Site Definition 是“外观图”定义模块，对应着单元库的“外观单元”（core）为了使电路的面积达到最小，现今所有的 VLSI 设计中所有标准器件都是一个挨着一个的形式来使面积最小的，同时所设计的标准单元库器件必须能够被布局布线工具正确调用并且不同的标准器件之间能够相互被紧紧排列在一起（即各个不同器件的高度都要保持