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MOSFET开关特性解析
MOSFET开关特性
1、在t0前，MOSFET工作于截至状态，从t0开始，驱动开始开通；
在区间[t0-t1]，栅极电源对Cgs电容充电，栅源电压慢慢升高，在t1时刻，Vgs等于维持电压Vth，MOSFET开始导通；
在区间[t1-t2]，图1和图2的波形，差异很大，图1中，Vds在t1时刻就开始下降，在t1-t2]下降幅度剧烈，在t2时刻，基本下降结束；但是在图2中，Vds在t2时刻才开始下降，米勒平台结束后，Vds降压结束！
所以，如果以图2为准，那么，接下来我们可以对Millier Platform做出合理的分析：
[t1-t2]区间，MOSFET对GS 电容的充电影响不大
4、[t2-t3]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS电压Millier 电容大大增加，外部驱动对Millier电容进行充电，电容的电压不变，Millier 电容；
控制器
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