第7章 透射电子显微镜3-2.ppt

入射束 衍射斑点与倒易阵点 的配置完全相似。 单晶的电子衍射谱是一 个二维倒易平面的放大。 掌握二维倒易点阵平面的 性质及画法对于熟练分析 电子衍射谱是必须的。 7.2 倒易点阵平面及其画法 电子衍射花样 倒易点阵与Ewald球面 相截的部分，再在荧光 屏上投影。 1λ 1λ 2θ 1 d o′ O G G′′ r L 试样 厄瓦尔德球 倒易点 阵 底板 7.2.1 晶带定律（Weiss zone law） 因为属于同一晶带的晶面族都平行于晶带轴方 向，故倒易矢量g⊥r， r·g =0， 构成一个与晶带轴方 向正交的二维倒易点阵平 面(uvw)*。 许多晶面族同时与一个 晶体学方向[uvw]平行时，这 些晶面族总称为一个晶带， [uvw]称为晶带轴。 正空间 ] r[uvw (h1k1l1) (h3k3l3) (h2k2l2) (h2k2l2) (h1k1l1) 倒空间 (h3k3l3) (uvw)* 晶带正空间与倒空间对应关系图 h1u + k1v +l1w = 0 h2u + k2v +l2w = 0 g = ha*+kb*+lc* hu +kv+lw = 0 r = ua+vb+wc g ⊥ r 电子衍射谱分析常用的晶带定律 正空间 ] r[uvw (h1k1l1) (h3k3l3) (h2k2l2) (h2k2l2) (h1k1l1) 倒空间 (h3k3l3) (uvw)* (uvw)*⊥[uvw] u, v, w晶带轴的指数（正点阵中晶向指数） h, k, l倒易点阵矢量指数（正点阵中晶面指数） 可解出晶带轴方向[uvw]如下： k1 l1 k2 l2 u = l1 h1 l2 h2 v = h1 k1 h2 k2 w = u :v: w = (k1l2 -k2l1):(l1h2 -l2h1):(h1k2 - h2k1) 正空间的一个晶面族(hkl)可用倒空间的一个倒易点hkl 来表示，正空间的一个晶带[uvw]可用倒空间的一个倒易面 (uvw)*表示，大大方便了电子衍射谱的分析。 h1u + k1v +l1w = 0 h2u +k2v+l2w = 0 7.2.2 二维倒易点阵平面的画法 用电子衍射谱进行物相鉴定或确定晶体的晶体学方向 ，往往需要对衍射点进行指数标定，为此需要知道二维倒 易点阵平面上倒易点的配置。 画出二维倒易点阵平面 已知晶体结构时，画出(uvw)*倒易面的步骤 对于任何点阵类型，倒易阵点hkl位于(uvw)*倒易 面上的条件是满足晶带定律。 试探法 选择两个满足晶带定律的低指数倒易点： (h1,k1,l1)和(h2,k2,l2)。 h1u + k1v +l1w = 0 h2u + k2v +l2w = 0 (1) (2) (1)+(2)得， (h1 +h2)u+(k1 +k2)v+(l1 +l2)w= 0 (h1 +h2,k1 +k2,l1 +l2) 点也在(uvw)*倒易面上。 所成角度可由余弦定理求出。 g1 (h1 1 1 l ) k (uvw)* (h2k2l2) g2 (h1 +h2,k1 +k2,l1 +l2) g3 倒空间 g1,g2和g3的长度可由相应的 晶面间距倒数求得。 三者满足平行四边形法则。 g3=g1+g2 （2）设此三个倒易点对应的倒易矢量分别为g1,g2和g3。 将此平行四边形向所有方向扩展，得到(uvw)*倒易面上的二维 倒易点阵的配置图形。 O* （3）除去结构因子F=0的消光倒易点。 （4）检查在(uvw)*倒易面上是否所有的倒易点都画上了。 这是由于一开始选择h1k1l1和h2k2l2的方式不同，有可能在画 出的图形中遗漏一些可能的点，这些遗漏的点在作图过程中 很容易检查出来。 对于立方晶系的情况，最好一开始就选择两个夹角为 90度的低指数倒易点，为画二维倒易面带来方便。 点阵类型 衍射条件 简单点阵 所有hkl 都有衍射 体心点阵 h+k+l=偶数，有衍射 面心点阵 hkl都是奇数或者都是偶数，有衍射 底心点阵 h+k = 奇数时，有衍射 例 (1) 试探法，先给出h1k1l1=1 -1 -1在这个倒易面上。 (2) 与[1 -1 -1]垂直且又与321垂直的(h2k2l2)可由下列方程组解 出： 画出面心立方点阵的 (321)*倒易面。 所以，将指数放大，h2k2l2= 2 -8 10。 h2 -k2 -l2 = 0 3h2 +2k2 +l2 = 0 面心立方(fcc)晶体消光 当h,k,l都是奇数或者都是偶数才有衍射 a h2 +k 2 +l2 由立