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防静电应用
静电是自然界普遍存在的瞬态强电脉冲,其频率在1MHz~500MHz之间3.2防静电应用静电无处不在摩擦:具有不同介电常数的物体之间,接触感应:带电体与导体之间,非接触3.2防静电应用静电产生:形成方式摩擦时,电子从较上的物质转向较下的物质,使较上的物质带正电荷,较下的物质带负电荷物质离得越远,摩擦产生的电荷量越大静电产生:摩擦起电序列中性正电荷逐渐增加负电荷逐渐增加3.2防静电应用静电产生:实例人在地毯上行走产生静电鞋底与地毯摩擦产生静电,并逐渐传输到整个人体鞋与地毯的性质差距越大,走得越快,走的距离越远,环境湿度越小,则产生的静电就越大人体及其衣服:接触面广,活动范围大,与大地之间的电容小(150pF左右),串联电阻低(150Ω左右),放电电流可达几十A,上升速度小于ns器件载体:包装容器(袋、盒、包),夹具,传送导轨周边环境:工作台,椅子,地板,焊接工具,装配工具3.2防静电应用静电产生:主要来源运动的速度材料性质的差异(化纤比棉织品严重)物体之间的电容环境湿度(北方比南方严重,内陆比沿海严重)物体的电阻3.2防静电应用静电产生:影响因素3.2防静电应用静电放电:定义什么是静电放电?ESD:ElectricStaticDischarge静电放电是具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移(GB/T4365-1995)静电放电导致芯片损坏3.2防静电应用静电放电:基本过程静电荷的产生若一个电源对100pF的电容充以10-7C的电荷,可使其端电压达到100V,存贮能量50uJ静电荷的保持与泄漏若介质漏电电阻Rg和空气放电电阻Ra之和为1013量级,则放电时间常数为103s左右若电容不能耐1000V的电压,即会被击穿静电荷的泻放若放电电阻为100欧姆,则放电时间常数为10ns,放电电流峰值可达10A,平均功率可达1000W若放电通道上的器件忍受不了这么大的电流,即会被烧毁人体对器件放电(Human-BodyModel,HBM):发生概率最大,常作为测试标准机器对器件的放电(MachineModel,MM):放电电阻小,破坏力大带电器件的放电(Charged-DeviceModel,CDM):器件通过摩擦或接触带电场致放电(Field-InducedModel):器件通过静电感应带电3.2防静电应用静电放电:主要形式人体放电的典型波形带电器件放电的典型波形3.2防静电应用静电放电:人体的静电放电如果接受者是元器件,就会对元器件带来损伤或者破坏3.2防静电应用静电放电:对人体的损害人在地毯上行走:鞋与地毯摩擦产生静电(假定为正电荷)人体电荷重新分布:脚带正电荷,手带负电荷人手接近(或触摸)键盘:键盘通过感应(或传导)带正电荷(或负电荷),接近速度越快,距离越近,电荷越多键盘对地放电或辉光放电:键盘上的元器件损坏3.2防静电应用静电放电:人行走-键盘模型3.2防静电应用静电放电:器件抗静电能力测试I/O-to-VDD/VSSPin-to-PinVDD-to-VSS3.2防静电应用静电失效:失效模式pn结击穿金属化失效键合线开路突发失效(catastrophicdamage):单次高电压,功能即时丧失隐性失效(latentdamage):多次低电压,寿命缩短,抗应力能力下降现象:MOS器件栅击穿,双极器件pn结击穿因素:输入电阻越高,输入电容越小,越容易失效多发器件:超大规模集成电路(薄栅氧化层),超高频功率晶体管(高压,梳状电极),声表面波器件(小间距薄层电极)3.2防静电应用静电失效:过电压场致失效机理现象:直接烧毁,诱发闩锁效应或二次击穿效应因素:电流截面越小,对地电阻越低,环境温度越高,越容易失效多发器件:反偏pn结,小面积pn结,高温工作条件3.2防静电应用静电失效:过电流热致失效机理甚敏感器件MOS器件:MOSFET,VDMOS,MOS电容栅控器件:JFET,SCR微波与射频器件:GaAsMESFET,HEMT,MIMIC敏感器件MOS数字电路:CMOS,NMOS,存储器与微处理器小信号模拟电路:运算放大器,A/DD/A双极数字电路:TTL,STTL,ECL中等敏感器件双极器件:pn二极管,双极晶体管阻容元件3.2防静电应用静电敏感性:器件分类3.2防静电应用静电敏感性:CMOS与双极器件nMOSFETVGSVGDpMOSFETVSGVDGMOS器件比双极器件更容易被静电损坏输入为绝缘层,无放电通道,静电容易产生及积累输入电容很小(几pF),耐压不高(通常在±15V~±40V),积累较少的静电电荷(约100pC)即可发生击穿栅-源比栅-漏更容易发生击穿,因为在器件的正常工作条件下,栅-源电压的绝对值大于栅-漏电压的绝对值3.2防静电应用静电敏感性:发射结与收集结发射结比收集结更容易发生静电放电击穿导致双极晶体管静
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