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第四章 光 刻 理学院 刘德雄 2011年3月6 本章主要内容 Photolithography 光刻 掌握 光刻胶的组成 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture. 光刻概述 Photolithography 临时性地涂覆光刻胶到硅片上 转移设计图形到光刻胶上 IC制造中最重要的工艺 占用40 to 50% 芯片制造时间 决定着芯片的最小特征尺寸 IC Fabrication 光刻需要 高分辨率 High Resolution 光刻胶高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment 精确的工艺参数控制 Precise Process Parameters Control 低缺陷密度 Low Defect Density Photoresist－ PR－光刻胶 光敏性材料 临时性地涂覆在硅片表面 通过曝光转移设计图形到光刻胶上 类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料 Photoresist Negative and Positive Photoresists Photoresist Composition光刻胶基本组成 聚合物材料 感光材料 溶剂 添加剂 聚合物材料 固体有机材料 光照下不发生化学反应 作用：保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定光刻胶薄膜的其它特性（如光刻胶的厚度、弹性和热稳定性） 感光材料 当被曝光时发生光化学反应而改变溶解性 正性光刻胶：由不溶变为可溶 负性光刻胶：由可溶变为不溶 溶剂 使光刻胶在涂到硅片表面之前保持液态 允许采用旋涂的方法获得薄层光刻胶薄膜 添加剂 不同的添加剂获得不同的工艺结果 如：染料，降低反射 Negative Resist 大多数负胶是聚异戊二烯型 曝光后变为交联聚合物 交联聚合物有很好的抗化学腐蚀特性 未曝光部分将溶解在显影液中 Negative Photoresist 负胶的缺点 聚合物吸收显影液中的溶剂 由于光刻胶膨胀而使分辨率降低 其主溶剂二甲苯会引起环境和安全问题 Comparison of Photoresists 正胶 Positive Photoresist 曝光部分可以溶解在显影液中 正影（光刻胶图形与掩膜图形相同） 更高分辨率（无膨胀现象） 在IC制造应用更为普遍 正胶 Positive Photoresist 酚醛清漆树脂聚合物 乙酸溶剂 含在树脂中的交联感光剂 光能使感光剂分解并打断交联化学键 光刻胶变为可溶于显影液 问题 正胶比负胶具有更好的分辨率，为什么十九世纪八十年代以前人们普遍使用负胶？ 答案 因为正胶比负胶贵得多，直到器件特征尺寸减小到3um以下时人们才用正胶代替负胶。 对光刻胶的要求 高分辨率 – Thinner PR film has higher the resolution – Thinner PR film, the lower the etching and ion implantation resistance 高抗蚀性 好黏附性 更宽的工艺容差 – Higher tolerance to process condition change 光刻胶的物理特性 光刻胶必须能够抵挡一定的工艺条件 －Coating, spinning, baking, developing. －Etch resistance －Ion implantation blocking 光刻工艺 Photolithography Process 光刻基本步骤 过去工艺：光刻步骤 现代工艺：光刻步骤 光刻工序 1、清洗硅片 Wafer Clean 2、预烘和底胶涂覆 Pre-bake and Primer Vapor 3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating 4、前烘 Soft Bake 5、对准 Alignment 6、曝光Exposure 7、后烘 Post Exposure Bake 8、显影 Development 9、坚膜 Hard Bake 10、图形检测 Pattern Inspection Wafer Clean 去除污染物 去除颗粒 减少针孔和其它缺陷 提高光刻胶黏附性 基本步骤 – 化学清洗 – 漂洗 – 烘干 光刻1－清洗 过去的方法 – 高压氮气吹扫 – 旋转洗刷 – 高压水柱清洗 Wafer Clean Process（新方法） 光刻2－预烘 脱水烘焙 去除圆片表面的潮气 增强光刻胶与表面的黏附性 通常