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2440 存储控制寄存器BWSCON
S3c2440的存储控制器/%D0%F1%D1%A7/blog/item/f80604db7620e93933fa1c5e.html
2009年10月27日 星期二 11:18
1、什么是存储控制器
????? 存储控制器是创建和控制其他存储设备的一种设备。S3C2440中存储控制器的起始地址为0束地址为0通过配置存储控制器提供的13个寄存器的具体数值来达到访问外围设备的目的。
2、如何得到外围设备的访问地址
????? 在说明得到外围设备地址之前,先说明一下什么是片选信号。读过微机原理的同志应该很清楚了。
????? 在S3C2440中分为nGCS0~nGCS7,共8个片选信号。分别对应了BANK0~BANK7,当需要访问外围设备的空间时(即访问BANKx 时),nGCSx 引脚输出低电平信号,这样选择相对应的BANKx外围设备来访问。(注:nGCS0~nGCS7在S3C2440手册中可以查找到相应的地址分配表)
????? BANK访问地址=BANK起始地址+地址线地址。
3、存储控制器中寄存器的使用
3.1、存储控制器提供的13个寄存器
????????? BWSCON,BANKCONx(x=0~7),REFRESH,BANKSIZE,MRSRBx(x=6~7),共13个寄存器。在这些寄存器的配置中,当配置BANK0~BANK5的时候,只需要配置BWSCON和BANKCONx(x=0~5)即可。由于BANK6和BANK7嘤糜谕饨覵DRAM,所以配置的时候除配置BWSCON和BANKCONx(x=6~7)外,还需要配置REFRESH,BANKSIZE,MRSRB6和MRSRB7等4个寄存器。
BWSCON(R/W Bus Width Wait Status Control,位宽和等待寄存器)
??????? BWSCON共32位,BWSCON的高4位对应了外设的BANK7,然而BWSCON是每4位对应一个BANK,所以依次类推可以得到其余BANK6~BANK0的对应位数。
???????? STx(x= 0~7):启动/禁止SDRAM数据掩码引脚。对于SDRAM此位为0,对于SRAM此位为1。一般为0。
???????? WSx(x= 0~7):是否使用存储器的WAIT信号。通常设为0。 /*0 = WAIT disable*/
???????? DWx(x= 0~7):用2位来设置对应BANK位宽(数据总线宽度),00=8-bit;01=16-bit;10=32-bit;11=reserved
??????? 其中,比较特殊的BANK0,它没有ST0和WS0,且DW0[2:1]为只读,由硬件电路跳线决定01=16-bit;10=32-bit。
BANKCONx(x= 0~5):用来控制外接设备的访问时序,默认设置0X0700可以满足使用需求。
BANKCONx(x= 6~7):只有BANK6和BANK7可以用来外接SRAM或SDRAM,所以在配置BANK6~BANK7会有所不同。
???????? MT[16:15]位:用来标识外接的设备是ROM/SRAM,还是SDRAM。 /*00 = ROM or SRAM;01 = Reserved;10 = Reserved;11 = Sync.DRAM */
???????? 当MT=0b00时(即外接ROM):此时设置与BANKCONx(x= 0~5)并无多大差异。
???????? 当MT=0b11时(即外接SDRAM):
???????? Trcd[3:2]:Time of RAS to CAS delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间) /*00 = 2 clocks;01 = 3 clocks;10 = 4 clocks*/
???????? SCAN[1:0]:表示SDRAM列的地址,可根据具体芯片情况设置 /*00 = 8-bit;01 = 9-bit;10= 10-bit*/
REFRESH:刷新控制寄存器。
???????? REFEN[23]:使能控制SDRAM刷新功能。/*0 = Disable;1 = Enable (self or CBR/auto refresh)*/
???????? TREFMD[22]:SDRAM刷新模式。/*0 = CBR/Auto Refresh;1 = Self Refresh (休眠模式)*/
???????? Trp[21:20]:Time of SDRAM RAS pre-charge(RAS预充电时间)。/*00 = 2 clocks;01 = 3 clocks;10 = 4 clocks;11 = Not support*/
???????? Tsrc[19:18
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