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技術文庫 ??打 印 版 ??推 荐 給 同 仁 ??發 送 查 詢 上網時間：2000年05月28日 Matthew Holloway化學開發工程師電子產品開發部Loctite Inc. Luana ScullyLoctite Inc. Mary WardLoctite Inc. 本文著重討論了在倒裝晶片組裝中採用新型“有序”ACF的優點。特別地，導電粒子的分佈取決於倒裝晶片凸點，並且與理論推論相吻合。 ACF的特性 評估技術 ACF厚度 用各向異性導電膠(ACF)作為互連材料貼裝矽晶片並不是一種新方法，早已被普遍用於倒裝晶片與玻璃的連接上。但是，傳統的ACF有一個重要的缺點，即內部導電粒子的分佈是無序的。那就意味著大量的導電粒子存在於兩個連接面間，且呈不均勻狀態分佈，而這一不均勻性最壞情況下會導致開路或短路。而最大的可能是導致接觸電阻的不同。接觸電阻的不同在FCOG場合下是允許的，因為整個電路的電阻很大。但是在其它情況下(如剛性或柔性有機基板)接觸電阻差別過大是不可接受的。因此，理想的倒裝晶片互聯材料其導電粒子的分佈應是均勻的，以保証在每個焊盤上的數量相同。隨著面陣凸點晶片的日益普及，對於導電粒子均勻程度的要求也將更為嚴格。目前新材料正在實際生產中試用，以確認其優越性。 ACF的特性 ACF材料是採用特殊技術制成，以使任一單分散性導電粒子均勻分佈。在研究的初期採用的是單分散性的鍍金的聚合物球（直徑7μm）。黏著劑採用環氧樹脂及微量的電子級品質化學藥品。ACF材料的典型性能見表1。 表1：ACF材料的特性。 本文主要就一種載體含量為1800粒/mm2的ACF材料進行討論。該載體適用於本次研究的凸點間距。同樣也能生產出更高顆粒密度的材料，導電粒子獨立分佈，但此時的平均間距縮小了。高密度材料適用於細間距電路。 評估技術 圖像分析可用來分析實際倒裝晶片組件上每一凸點處顆粒的平均數量。例如，組件有98個球形凸點(100μm×100μm，20μm高)，間距200μm。組件置於ITO玻璃基板上，以使凸點區域顯露出來，從而能夠進行圖像分析。 圖像分析系統包括一個高品質的反射顯微鏡，顯微鏡與一個高解析度的CCD攝像機及一台裝有圖像分析軟體的電腦相連。倒裝晶片的連接用一台Finetech Fineplacer 183倒裝晶片邦定機(如圖1)黏著。 圖1：具有5μm以上貼裝精度的Finetech Fineplacer 183邦定機。 這是一台手動系統，貼裝精度可達5μm以上，包括一黏著於支點上的貼裝臂和裝於氣墊上的工作台，貼裝臂上裝有帶加熱與真空裝置的定心爪。用真空吸取倒裝晶片，經定心爪定心後，藉由立體顯微鏡和一個固定光標指示器，與台上的基板對準。基板能夠作X、Y與θ方向的移動以準確定位。隨後貼裝臂轉動90°使晶片裝貼於基板上。然後再在其上施加不同的溫度和壓力以形成可靠的連接。通常以180℃的溫度加熱至少20秒的時間，壓力應根據凸點面積的不同可在1至50MPa間改變。 在本試驗方案中，第二種倒裝晶片用於對有序ACF的電氣性能進行評估。該晶片有576個凸點以面陣式排列(見圖2)。凸點尺寸依然是100μm，間距200μm。 圖2：用於對“有序”ACF進行評估的面陣式倒裝晶片。 相應的FR4基板如圖3。 圖3：面陣式FR4基板上各種紐鏈式結構。 晶片與基板的設計使其在組裝時形成6個不同的紐鏈式結構。這種設計便於對相鄰鏈進行探測，從而可探知它們之間的絕緣電阻。盡管將來可能會用到ITO玻璃基板，在初始試驗時仍採用FR4基板。這樣一來圖像分析與電氣可靠性均在相同的倒裝晶片組裝中進行。 裝到玻璃基板上時，導電粒子有時會進入倒裝晶片凸點的下面。此時，凸點上的壓力是30MPa。連接時凸點下導電粒子的分佈不受影響仍呈均勻狀態。每一凸點下導電粒子的平均數量可採用圖像分析的方法得出，結果是每一凸點下平均有16個導電粒子。由於對100μm×100μm的凸點而言採用的ACF中導電粒子的初始密度為1800粒/mm2，試驗結果証明每一凸點下16個導電粒子非常令人滿意。 ACF厚度 試驗中所發現凸點下導電粒子數最低值是13，這就意味著所有的凸點均有著良好的導電性能，接點非常可靠。這說明了1800粒/mm2密度適合於100μm直徑而間距200μm的凸點。同樣說明隨著凸點尺寸與間距的減小，需要更高的密度來保証每一凸點達到相同的水平的導電粒子數。在保証分佈均勻的前提下，ACF的製造製程能夠達到更高的導電粒子載體密度(即減小導電粒子間的平均距離)。導電粒子密度與每凸點下導電粒子數量間的關係正利用現成的倒裝晶片結構進行研究。 邦定時的壓力對於凸點下導電粒子數量几乎沒有影響，只是決定著ACF的最佳厚