2010第2章ppt(本).ppt

第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 电子技术的基础 ——— 电子器件：晶体管和集成电路电力电子电路的基础 ——电力电子器件 本章主要内容： 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。 学习重点 １.掌握电力二极管PN结的单相导电性及其通态平均电流的定义。 2 .掌握晶闸管SCR的物理结构、工作原理、静态伏安特性及电压、电流参数，尤其是如何根据流过晶闸管的电流选取晶闸管。 3.掌握双极结型电力晶体管BJT的物理结构、电流放大分配关系、输入特性、输出特性。 ４.掌握电力场效应晶体管P-MOSFET的物理结构、转移特性、输出特性。 ５.掌握绝缘门极双极型晶体管IGBT的物理结构、静态特性、擎住效应。 ６.比较掌握几种典型电力开关器件的可控性、驱动信号、额定电压电流大小、工作频率、饱和压降。 2.1 电力电子器件概述 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点 器件概述 1956年美国贝尔公司发明了PNPN可触发晶体管，1957年通用电器（GE）进行了商业化开发，并命名为晶体闸流管，简称为晶闸管（thyristor）或可控硅（silicon controlled rectifier—SCR）。 由于晶闸管类器件基本上是换流型器件，其工作频率比较低，由其组成的频率变换装置在电网侧谐波成分高，功率因素低。 70年代大功率晶体管（三极管）已进入工业应用阶段，它被广泛应用于数百千瓦以下的功率电路中，功率晶体管工作频率比晶闸管大大提高，达林顿功率晶体管可在10KHz以下工作,非达林顿功率晶体管可达20KHz，出现了所谓“20KHz”革命，其缺点在于存在二次击穿和不易并联以及开关频率仍然偏低等问题，使其使用受到了限制。 70年代后期，功率场效应管（POWER MOSFET）开始进入实用阶段，这标志着电力半导体器件进入高频化阶段。在80年代又研制了电流垂直流动结构器件（VDMOS），它具有工作频率高（可达兆Hz），开关损耗小，安全工作区宽，几乎不存在二次击穿，输入阻抗高，易并联（漏源电阻为正温度特性）的特点，是目前高频化的主要器件，尽管VDMOS器件的开关频率高，但导通电阻大这一缺点限制了它在高频大中功率领域应用。 绝缘栅双极型晶体管IGBT（insulated gate bipolar transistor）。IGBT于1982年在美研制成功，1985年投入市场,为场控器件，其工作频率超过20KHz。 80年代另一重要的发展是智能化功率集成电路(SMART POWER IC)的研制成功，它们是在制造过程中，将功率电子电路和信息电子电路一起集成在一个芯片上或是封装在一个模块内产生的，具有信号测试及处理、系统保护及故障诊断等功能，它们实际上是一种微型化的功率变换装置。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 电力电子器件 1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device）——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件(采用的主要材料仍然是硅） 3）同处理信息的电子器件相比的特征： 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 电力电子器件的损耗 通态损耗是器件功率损耗的主要原因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 2.1.2 应用电力电子器件系统组成 电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类： 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode)