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4.4 场效应管 1. 绝缘栅场效应管 ② 工作原理 ② 工作原理 ② 工作原理 ② 工作原理 ⑵ N沟道增强型MOS管的特性曲线 1.输出特性 ① 输出特性 ② 转移特性 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑶ N沟道增强型MOS管的主要参数 ⑷ N沟道耗尽型MOS管 ①工作原理 在制造过程中，向二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子，使得uGS=0V时，由正离子产生的电场就能吸引足够的电子产生反型层。如果加上正向uDS电压，就可以在感生沟道中产生iD电流。这种在uGS=0V时就存在导电沟道的场效应管称为耗尽型绝缘栅场效应管。 uGS0时，将加强由绝缘层中正离子产生的电场，感生沟道加宽， iD增大。 当栅、源极间加反向电压，即uGS0时，将削弱由绝缘层中正离子产生的电场，感生沟道变窄， iD减小。 当uGS达到某一负电压值Up时，完全抵消了由正离子产生的电场，则导电沟道消失。 iD ≈0。 Up称为夹断电压(Pinch off Voltage)。 ① 工作原理 ② 特性曲线 ③ 主要参数 2. 结型场效应管 结型场效应管常用英文缩写JFET来表示（Junction Field Effect Transistor)。 两种类型，分为N沟道和P沟道两类。 2. 结型场效应管 在一块N型半导体的两边制作高掺杂浓度的P+区，形成两个PN结，彼此相连作为栅极。在N型半导体的两端各引出一个电极作源极和漏极。两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。图为N沟道结型场效应管结构示意及符号图。栅极箭头指向源极的是N沟道，反之为P沟道。 2. 结型场效应管 栅源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，形成耗尽层，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│增加到一定值Up时 ，沟道会完全合拢。 2. 结型场效应管 漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。预夹断后， uDS↑→iD 几乎不变。 * 场效应管是由一种载流子参与导电的半导体器件 是用输入电压控制输出电流的的半导体器件。 按结构来划分，它有两大类。 结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 绝缘栅型场效应管MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 ⑴ N沟道增强型MOSFET 结构和工作原理 ①结构 N沟道增强型MOSFET结构示意图和符号图 d(Drain)为漏极，相当c g(Gate)为栅极，相当b s(Source)为源极，相当e 绝缘栅型场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小 感生沟道的形成 uGS 铝 SiO2 P衬底型硅 耗尽区 受主离子 （a）uGSUT g b uGS 自由电子 耗尽区 反型层 （b） uGS≥UT g b 绝缘栅型场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小 栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 当uGS=0时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管， uDS任意?iD=0 当uGS0时，形成空间电荷区。当uGSUT，形成导电沟道。 UT—开启电压。 uGS越大，则导电沟道越宽，沟道电阻越小， i