模拟电子技术期考考试试题5.docVIP

一、填空题（共15分，每空1分） 1．PN结的P区接外加电源的负极、N区接正极的接法称为PN结的 偏置，对于PNP型晶体管，当其工作在饱和区时，发射结为 偏、集电结为 偏。 2．判断正负反馈可采用 法；如果要稳定静态工作点，应该引入反馈；如果要改善放大电路的动态性能，应该引入 反馈；如果要稳定放大电路的输出电压，应引入 反馈，如果要减小输出电阻，应该引入 反馈。 3．多级放大电路的级间耦合有 、 、 三种耦合。 4．当温度升高时，晶体管的β ，反向电流 ,UBE . 5．在反馈电路中,若∣1+AF∣ 1,则为______反馈;若∣1+AF∣ 1时,则为______反馈. 二、单向选择题（共16分，每小题2分） 1．N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ） A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素 2．晶体三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（ ） A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏 3．某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V,则这只三极管是（ ） A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管 4．PN结加正向电压时，其正向电流是由（ ）的。 A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成 C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成 5．负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ）。 A.输入信号所包含的干扰和噪声 B.反馈环内所包含的干扰和噪声 C.反馈环外所包含的干扰和噪声 D.输入信号中的干扰和噪声 6．差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了 . A.提高差模电压增益 B.提高共模电压增益 C.提高输入电阻 D.提高共模抑制比 7．与甲类功率放大器比较，乙类功率放大器的主要优点是（ ） A.不用输出变压器 B.不用输出大电容 C.效率高 D.无交越失真 8．为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ ） A.共射电路 B.共集电路 C.差动放大电路 D.乙类放大电路 三、判断题（9分） 1．判断图3.1中电路能否对交流信号进行放大，并说明原因。 图3.1 2．正弦波振荡电路如图3.2所示，判断下列各电路能否产生振荡。 （a） （b） 图3.2 四、分析计算题（共60分） 1. 15分 放大电路如图4.1所示。设晶体管VT的β 100，rbb′ 100Ω，电容C1、C2都足够大，VCC 12V，RS 2 kΩ，RB1＝0kΩ，RB2 15kΩ，RE＝R＝kΩ。 （1）估算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ； （2）画出相应的等效电路图，计算Au； （3）求输入电阻Ri 和输出电阻R o。 图4.1 2. 10分 电路如图4.2示，设RP的滑动端处于中间位置，所有管子的。 1 试求静态工作点参数、、、的值。 2 计算电路的动态性能指标：差模电压放大倍数、差模输入电阻和输出电阻的值。 图4.2 3. 10分 集成运放电路图如图4.3所示： （1）说明A1、A2、A3各组成什么运算电路； （2）写出 Uo1 Uo2 Uo 与 Ui1, Ui2, Ui3 的关系式。 图4.3 4. 10分 放大电路如图4.4所示，其中RC3 5.1kΩ，RE1＝R＝kΩ，RE2 2kΩ，RF1＝R＝kΩ。试分别回答： （1）电路中有哪些级间反馈？指出反馈的元件，并判断反馈的类型； （2）这些反馈对电路的工作状态或放大性能有什么影响？ （3）在深度负反馈条件下，电压放大倍数Auf是多少？ 图4.4 5. 10分 由三个理想运放组成的电路如图4.5所示。输入信号ui 5sin20t，t 0时，积分电容上的电压为零。 （1）A1、A2、A3分别组成什么基本应用电路？ （2）分别求Uo1、Uo2 、Uo3； （3）画出Uo1、Uo2 、Uo3的波形。 图4.5 6.（5分）某放大电路的对数幅频特性如图4.6所示，已知中频段φm -180°。 （1）写出的频率特性表达式； （2）画出相频特性. 图4.6