第一章半导体中的电子状态程序.ppt

半导体能带极值附近E(k)的分布 k E 1. k 空间的等能面 b. 极值点k0=k0 (kx0,ky0,kz0) (1) 一般情况: 三维晶体. k=k(kx,ky,kz) c. 各向异性晶体 m*=m*(m*x,m*y,m*z). E=E(kx,ky,kz) 其中： 极值点k0附近电子能量E: (泰勒级数展开) 移项后： ● ko kx ky kz 椭球等能面 (2) 极值点k0正好在某一坐标轴上 设k0在Z轴上, 以Z轴为旋转轴 ● ko kx ky kz 旋转椭球曲面 mt为横向有效质量, ml为纵向有效质量 若 mlmt, 为长旋转椭球 mtml, 为扁形旋转椭球 (3) 极值点k0在原点 能量E在波矢空间的分布为球形曲面 ● ko kx ky kz E(k)等能面的球半径为: 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量的关系为: 2. 回旋共振-有效质量测量 对于球形等能面： α、β、γ分别是kx、ky、kz相对于B的方向余弦 对于非球形等能面： 3. Si.Ge.GaAs半导体的能带结构 元素半导体Si、Ge结构 金刚石结构 Ge: a=5.65754? Si: a=5.43089? 硅的能带结构 导带 价带 [100] [111] Γ L X Eg 1.元素半导体Si 间接带隙 重空穴 轻空穴 硅导带等能面示意图 极小值点k0在坐标轴[100]上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面 (1)导带 A B C D ml = 0.91 m0 mt = 0.19 m0 （2）价带 极大值点在坐标原点，k0=0，E(ｋ)为球形等能面，但有两个曲率不同的面，即有两个价带 外层：能量变化慢，mp*大；→重空穴 内层：能量变化快，mp*小；→轻空穴 2. 元素半导体Ge 锗的能带结构 导带 价带 [100] [111] Γ L X Eg 思考： 等能面形状？ 布里渊区内有几个椭球？ 什么带隙？ 导带的极小值在[111]方向的布区边界，E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面,有8个半椭球。 (1) 导带的极小值 (2) 价带的极大值点 在坐标原点,k=0,等能面为球形,也有 两个价带,分重、轻空穴 ml = 1.64 m0 mt = 0.08 m0 3. GaAs化合物半导体 GaAs闪锌矿结构 闪锌矿结构 GaAs: a=5.65325? GaAs能带结构 E GaAs Eg 0·29eV L Γ X [111] [100] 直接带隙 有效质量？ (1) 导带有两个极小值： 一个在k=0处，为球形等能面， 另一个在[111]方向，为椭球等能面，能量比k=0处的高0.29eV， 价带顶也在坐标原点，k=0，球形等能面，也有两个价带，存在重、轻空穴。 (2) 价带 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值 点为于K空间的同一点，这种半导体称为 直接带隙半导体。 Si,Ge: 导带底和价带顶不在k空间同一点的半导体称为间接带隙半导体。 思考： Si能发光吗？GaAs呢？发光波长是多少？ 如何测量直接带隙半导体的禁带宽度？ Transmission eV Eg 第一章 小结 ●半导体中电子的状态 波函数 ●共有化运动 能级分裂 能带结构 ●有效质量的概念及物理意义 ●两种载流子 电子/空穴 ●直接带隙半导体/间接带隙半导体 在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k) 在绝对0K时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 ● 有效质量的概念及物理意义。 ● 两种载流子 价带顶的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。 空穴具有正的有效质量。 ● Si,Ge,GaAs能带结构特点； 直接带隙半导体和间接带隙半导体 第一章思考题与自测题： 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性？ 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 简述有效质量与能带结构的关系？ 对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性