2011哈工大微电子与固体电子学真题.docVIP

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2011哈工大微电子与固体电子学真题

哈尔滨工业大学2011微电子与固体电子学考试科目：半导体物理报考专业：微电子学与固体电子学考试科目代码：[ 406 ] 考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号.答在试题上无效. 题号一二三四五总分分数 30 30 30 30 30 150分解释下列名词或概念: 状态密度 6. 表面复合率空穴 7. 准费米能级布里渊区 8. P-N结陷阱效应 9. 光电导灵敏度非简并半导体 10. 光生伏特效应二．分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点三分析N 型衬底的MOS结构，在不同栅极电压VG下，半导体表面的电荷层性质，画出表面势和空间电荷分布图四分别论述杂质对半导体的影响五、如图所示，厚度为d（）的无限大的均匀掺杂N型半导体薄片，表面均匀光照（满足小注入条件），材料的吸收系数为α，载流子扩散系数和寿命分别为Dp和tp。若光只在极薄层内产生非平衡载流子，对入射光有何要求？设表面非平衡载流子浓度为 ΔP s试确定ΔP的分布；（15分） 2、若光在体内均匀吸收非平衡载流子产生率为gp，并在上表面和下表面载流子的符合速度非别为∞和0，试确定非平衡载流子ΔP的分布。（15分） d hv≥Eg 均匀光照