第二章 智能微系统制造技术.ppt

近年来，在半导体微加工技术基础上发展起来的表面MEMS加工技术，以及其它具有高深宽比的MEMS加工技术得到了迅速发展。如：硅材料体MEMS加工技术； LIGA技术； 激光加工技术； 超精密加工技术等。 下面以氢氧化钾水溶液对硅的各向异性刻蚀为例，说明硅的各向异性刻蚀原理。硅在氢氧化钾水溶液中的反应非常简单，反应按下式进行： Si + H2O + 2KOH = K2SiO3 + 2H2 反应生成物是可溶性硅酸钾K2SiO3，因此浸没在氢氧化钾水溶液中硅片表面原子将不断向水溶液溶解，从而产生了硅的刻蚀。 如图2－22所示硅晶体具有金刚石结构，硅晶体在不同的表面显露时，其表面原子悬挂键数量是不同的，即显露在外表面不同晶面上的原子和内层原子的结合力是不同的，因此不同晶面原子在溶液中的刻蚀速率也不同。 图2－22 硅的晶体原子键结构图 三、键合技术 作为微系统三维加工技术除上述除去式（硅各向异性刻蚀、精密机械加工、激光加工等）加工方法以外，还有结合式的加工方法，即将用各种微加工方法加工出来的微结构相互结合在一起形成一个具有优良性能的微结构器件。 基板和器件以及基板之间的结合称为键合。 键合的方法较多，有胶结（如环氧等有机材料）、低温玻璃键合、共晶键合、直接键合、静电（阳极）键合等，其中直接键合和静电键合方法不会造成变形，利于保证微器件的尺寸精度，所以这两种键合方法是微机械加工中最重要的键合方法，典型的方法如下图所示。 图2－31 基板键合方法示意图 ? 共晶键合 1．直接键合 直接键合又称熔合键合，它是硅与硅或有氧化膜硅片之间的键合，中间无需添加任何粘结剂，也无需外加电场。基本的工艺过程为：(1) 首先对硅片表面进行活化处理，形成亲水表面，提高表面氢氧基的密度。(2) 硅片经等离子水冲洗后烘干，在室温下将两硅片面对面贴在一起。(3) 将贴好的硅片放在高温炉中加热至1000~1273K，在O2或N2的气氛中进行高温处理数小时（绝对温度等于摄氏温度加273）。 键合原理 由于界面处的硅原子在范德瓦尔斯力和氢氧基团的氢键的作用，使两硅片粘附在一起。 当硅片表面的氧化膜完全被去除时，可以在比较低的温度（450K左右）进行键合，这时键合的硅片就具有了足够的结合强度。 这种键合非常稳定，并且不随时间改变。 特点： （1）实现了无中间层的键合，因此不会产生任何应力。 （2）对硅片表面的平整度、沾污和尘埃特别敏感。 （3）有机物的沾污会在热处理时释放气体，形成空洞。 （4）键合面在尘埃周围存在一个圆形未键合的区域，所以在清洗、干燥以及整个操作过程中必须十分注意避免尘埃对硅片表面的沾污。 2．静电键合 静电键合又称为阳极键合，这种方法适合于硅片和富钠玻璃基板之间键合。 采用与硅膨胀系数（3.2×10－6/℃）相近的Pyrex玻璃与硅重叠，加热至573 - 773K，在玻璃一侧附加500 - 1000V的负高压，并附加一定的压力，在保持一定时间后，即完成玻璃和硅之间的键合。 3．低温玻璃键合 由于静电键合时硅片和玻璃的界面上存在很强的电场，这可能对电子电路产生损伤。为了避免电场对器件的损伤，在键合时应避免施加电压。 低温玻璃键合是将低温玻璃涂敷在键合的面上，再与要键合的基板叠在一起，附加一定的压力和温度使它们键合在一起。 低温玻璃键合一般是把玻璃加热到熔融状态，并附加一定的压力使玻璃发生塑性变形，从而使硅片牢固地结合在一起。 4．共晶键合 为了降低硅片的键合温度也可采用共晶键合方法。 金硅合金共晶温度在370℃左右，因此可以先在一块硅片上沉积一层金薄膜，随后将此硅片贴在另一硅片上，形成硅－金－硅的三明治结构。当对其加热并附加一定的压力，且加热温度超过金硅共晶温度370℃以上时，则在二硅片的界面上形成金硅共晶合金。冷却后，二硅片被界面上形成的共晶合金融合在一起达到键合的目的。 为了获得高的键合质量，必须在沉积金之前去除硅片表面的自然氧化层。 5．有机键合 如果键合的器件不能承受低温玻璃键合和阳极键合的高温，就可以采用类似胶水的聚合物进行键合。 如采用聚酰亚胺和环氧树脂等都可以达到中等的键合强度。大多数的聚合物与硅的粘附性能都不好，需要用有机硅打底膜。 与前面介绍的键合相比，这种键合因聚合物的老化等因素影响，其键合质量不太稳