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LED 投資新趨勢 Presented by 李仁凱 Outline 氮化鎵基板 矽基板 光子晶體LED 紫外光LED 交流LED 無極性LED 垂直結構LED 結論 參考資料 氮化鎵基板 利用氮化鎵薄膜同材質製作成基板，發光效率與散熱等等優點、優於藍寶石基板。 氮化鎵基板可以大幅度降低氮化鎵薄膜的缺陷及磊晶可能產生缺陷的疑慮。 氮化鎵基板優點 優點 硬度低、容易加工。 導熱速度係數較高(2.2W/cmK)。 GaN基板為導電材質。 氮化鎵基板缺點 缺點 台灣尚無基板的製造與供應商。 晶片價格昂貴。 基板比較 矽基板 在矽基板上成長GaN薄膜將可以大幅降低成本與價格、但是GaN薄膜與矽基板間的晶格常數不匹配，並且材料間熱膨脹係數差異也有54%。 所以在基板上成長薄膜會因為彼此應力過大而造成薄膜內的缺陷密度過高，進而降低效率 氮化鎵系列LED之基板比較 光子晶體LED (Photonic Crystals) 傳統LED受限於全反射或橫向波導效應，無法將發光層的光全部取出、會有部分光被阻擋住、所以在LED結構中加入光子晶體就可以克服全反射障礙提高發光效率。 最近數年受到全世界產學研界廣泛的注目，原因在於光子晶體提供光線傳輸一個全新的平臺。 光子晶體LED原理 光子晶體是類似於週期性的介電質分佈的結構。高低折射率呈現規則性的交錯分布，透過人為控制其折射係數與介電常數。就因為特殊的週期性排列，可以對特定頻率的光作反射。達到類似於表面粗化的效果。 光子晶體LED結構 一維是所謂的薄膜，有抗反射膜，全反射膜。 二維應用非常多，可分為波導元件，分光元件及干涉儀。 三維最為多樣且複雜，最簡單的結構想像成許多的奈米尺寸的結構，緊密而有週期地堆積，其反射光顏色會隨著各種角度而變化。 一維光子晶體 是用半導體鍍膜的方式，長出一層層適當的厚度，與適當折射率的材質。 二維光子晶體 目前應用以二維結構為主、利用兩種不同材料交錯生長在晶片上，再表面形成二維陣列的特定形狀、如柱狀、洞狀等結構，改變其週期、深度及蝕刻後底部與發光層的距離來得到最佳光取出效率或是改變其空間分佈。 紫外光LED 發光波長為250nm~380nm、應用於殺菌、醫療、生化檢測、無線傳輸等等。目前常見產品為驗鈔機。 UV LED搭配紅/藍/綠螢光粉可以合成為白光。 合成的白光LED 利用UV LED搭配紅/藍/綠螢光粉合成白光其注入電流增加時、發光光譜不會有太大改變，色度穩定性大，光譜範圍廣，演色性也較佳。 其發光效率及均勻性也比藍光LED加YAG螢光粉所產生的白光LED更優。 UV LED缺點 有紫外光外洩之問題產生，因為LED封裝使用的是環氧樹脂、長期使用會因長期照射下出現劣化，進一步影響壽命及可靠度的問題。 交流LED LED為二極體結構、必須以直流電源方式驅動。所以用再交流電時必須搭配一個變壓器與整流電路才能順利操作。 韓國首爾生產出2W與4W的AC LED。AC 110 2W 是2006年11月左右量產上市、AC 110 4W 是 2007年 11月底左右量產上市。 AC 110 LED 2W 4W 無極性LED 為了因應未來高功率照明時代來臨、發光元件就必須有更加的光電轉換效率、所以開發無極性GaN結晶、來實現高效率LED的一種新技術。 改善無極性LED所形成的問題 由於GaN系列的藍光LED，無論是採用藍寶石或碳化矽為基板都是在其極性表(C軸) 、順著晶體的C軸生長磊晶薄膜、其晶體內會呈現非對稱排列、產生自然極性問題、形成強烈內建電場導致出現量子侷限史塔克效應、也就是使元件能帶傾斜、波長紅移等等問題產生。 而無極性或半極性的GaN磊晶薄膜可以改善傳統LED能帶傾斜等問題、進而提高內部量子效率的目標。 光電轉換效率 外部量子效率(external Quantum Efficiency) 內部量子效率(Internal Quantum Efficiency) 取光效率(Light Extraction Efficiency) 如果要發展高亮度LED相關技術就必須提高IQE跟LEE的數值。 目前中村修二近年發表使用無極性GaN系基板製作出20mA電壓驅動、可達到28mW的輸出、波長402nm的紫外光LED。 若是在200mA電壓下、光輸出功率可以達到250mW。 垂直結構LED 垂直結構可以改善傳統LED電流分布問題、提高發光效率、P電極遮光問題。 結論 在未來不管是亮度提升或是降低生產成本、不管 採用哪種結構、所面臨到的問題還是必須要解 決、如熱產生、光的全反射、發光效率等等。所 以LED所應用的產品將會慢慢的出現、而發光效 率卻會越來越高。 參考資料 /topicdetail.php?f=168t=516962last=4923046 .tw