2008科学基础(第三章-正式版)精选.ppt

刃型位错的滑移特征 ?∥b、b⊥l、滑移方向⊥ l、滑移方向∥b 单一滑移面。 螺位错的滑移特征 ?∥b、b ∥ 滑移线、滑移方向⊥ l、滑移方向⊥ b ，非单一滑移面。可发生交滑移。 刃位错、螺位错滑移特征 刃位错、 螺位错 滑移特征 开动位错运动的切应力方向不同 位错运动方向与晶体滑移方向两者之间的关系不同 使刃位错运动的切应力方向必须与位错线垂直 使螺位错运动的切应力方向却是与螺位错平行的 对于刃位错，晶体的滑移方向与位错运动方向一致 而螺位错所引起的晶体滑移方向却与位错运动方向垂直 刃位错、螺位错滑移特征 开动位错运动的切应力方向不同 三种位错滑移的回顾 类型 柏氏矢量 位错线运动方向 晶体滑移方向 切应力方向 滑移面个数 刃型 ⊥位错线 ⊥于位错线本身 与b一致 与b一致 唯一 螺型 ∥于位错线 ⊥于位错线本身 与b一致 与b一致 多个 混合 与位错线成一定角度 ⊥于位错线本身 与b一致 与b一致 5.2. 位错的攀移 位错的攀移 climbing of disloction :在垂直于滑移面方向上运动 攀移的实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小，可通过物质迁移即原子或空位的扩散来实现。 刃位错的攀移过程: 正攀移,多余半原子面向上运动； 负攀移,多余半原子面向下运动 注意：只有刃型位错才能发生攀移 位错的密度：单位体积晶体中包含的位错线总长度。 ρ L/V cm-2 L为位错线的总长度，V是晶体的体积。 简化：把位错线当作直线，位错的密度穿过单位面积的位错线数目。 ρ n/A n为面积A中所见到的位错数目，即穿过单位截面积的位错线数目。 如果所有的位错线平行且垂直于表面，这两种定义的密度值是相同的。对于完全随机排列的位错组态，体密度是面密度的2倍。 （1）位错的增殖： 晶体在变形过程中位错不断的增殖。 位错的增殖机制：弗兰克-里德（F-R）位错源。 位错两端被钉扎，在切应力作用 下发生弯曲；位错运动时发生卷曲； 异号位错相遇—形成一闭合的位错环和位错环内的一段弯曲的位错线。 上述过程重复进行。 ?5.5 位错的交割 扭折或割阶——具有原位错线的伯氏矢量 割阶——都是刃型位错 扭折——刃型、螺型 扭折——与原位错线在同一滑移面上 割阶——与原位错线不在同一滑移面上 1 位错反应： 位错的分解与合并。 （2）反应条件 几何条件：∑b前 ∑b后；反应前后位错的柏氏矢量之和相等。 能量条件：∑b2前 ∑b2后; 反应后位错的总能量小于反应前位错的总能量。 实际晶体中位错的位错 （1）单位位错：伯氏矢量等于单位点阵矢量的位错。 （2）全位错：通常把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位 错称为全位错。全位错滑移后晶体原子排列不变。 （3）不全位错：伯氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错。不全位错滑移后原子排列规律发生了变化。 （4）部分未错：伯氏矢量小于点阵矢量的位错称为部分未错。 在面心立方晶体中，有两种重要的不全位错： （1）肖克利不全位错 （2）弗兰克不全位错。 ?三 面缺陷 界面包括外表面（自由表面）和内界面。 表面:是指固体材料与气体或液体的分界面，它与摩擦、磨损、氧化、腐蚀、偏析、吸附现象，以及光学、微电子学等密切相关。 内界面：可分为晶粒边界和晶内的亚晶界、孪晶界、层错及相界面。 界面通常包含几个原子层厚的区域，该区域内的原子排列甚至化学成分往往不同于晶体内部，系二维结构分布，也称为晶体的面缺陷。 界面的存在对晶体的力学和物理化学性能具有重要影响。 表面能——晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能Y（J/m2）； 产生单位面积新表面所做的功： 晶界： 多数晶体物质由许多晶粒组成，属于同一固相但位相不同的晶粒之间的界面称为晶界，它是一种内晶界。 亚晶界 每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒组成，相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。 晶粒的平均直径：0.015-0.25mm 亚晶粒的平均直径：0.001mm 根据相邻晶粒之间的位向差可将晶界分为两类： 按θ的大小分类： 小角度晶界θ 10o —亚晶界均属小角度晶界 大角度晶界θ 10o—多晶体中的晶界属于此类 3.2.5 孪晶界 孪晶的定义：是指两个晶体（或一个晶体的两个部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称为孪晶面。 孪晶分类： ①共格孪晶界 ②非共格孪晶界 依照形成原因不同分为：形变孪晶、生长孪晶、退火孪晶 孪晶的形成常常与晶体中的堆垛层错有密切关系，γ高不易形成孪晶。 fcc结构 孪晶面为 111 bcc结构 孪晶面为 112 （2）非共格孪晶界 3.2.6 相界 相界：具有不同结构的两相之间的分界面称为