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Array工艺技术 一. Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异物等。 的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等 二、 Clean工艺简介 二、 Clean工艺简介 二、 Clean工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 三、 Sputter工艺简介 溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率就越高。 溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。 四、 PECVD工艺简介 四、 PECVD工艺简介 利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术. 四、 PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 光刻就是以光刻胶为材料在玻璃基板表面形成TFT pattern，这个TFT pattern的作用就是保护在它下面的金属或者其他的薄膜，使其在下一道刻蚀工序中不被刻蚀掉，从而最终形成我们所需要的TFT pattern。 五、 Photo工艺简介 五、 Photo工艺简介 五、 Photo工艺简介 五、 Photo工艺简介 五、 Photo工艺简介 分为TRACK和曝光机两部分： 曝光机利用光刻胶的光敏性将MASK上的图像格式投影到玻璃基板上. 在PHOTO工序，除了曝光机以外的设备通称为TRACK机， 包括 清洗设备：Advanced Scrubber; 涂胶设备：Coater ER; 显影设备：Developer; 烘烤设备：前烘Soft Bake、后烘Hard Bake设备； 冷却Cooling设备等。 六、 Etch工艺简介 六、 Etch工艺简介 六、 Etch工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 WET STRIP即光刻胶的剥离。在ARRAY PROCESS中，每层顺序经过成膜（THIN FILM）→曝光（PHOTO）→刻蚀（ETCH）之后已经形成PATTERN，剥离就是在这些过程完成之后把用于在薄膜上形成PATTERN的光刻胶去掉，从而这一层膜的完整的工艺即告结束。 4Mask与5Mask不同之处在于4mask将Active层与S/D层一起沉积，涂覆PR胶后进行一次mask，在PR胶上形成一个凹坑。显影后进行第一次S/D层和Active层的刻蚀，然后Ashing使PR胶凹坑处露出S/D层，接着进行第二次S/D层和N+层的干法刻蚀，最后进行剥离，同时完成这两层的全过程。 八、4Mask与5Mask比较 glass Glass Pixel Data Passivation SiNx n+ a-Si a-Si Gate insulator SiNx Process 5Mask 4mask 八、4Mask5MASK工艺流程比较 Via hole Gate 4Mask工艺流程 1 .Gate process 2 .SDT process 3 .PVX process 4 .ITO process 九、4Mask工艺流程介绍 Gate Mask目的:为形成Gate Line,通过光刻形成PR pattern 设备工艺流程： 入口Conveyor EUV Roller Brush AAJET Exposure Dehydration Bake Air Knife Coater LPD Spin Coater Pre-Coater Interface Pre-Bake EBR 姿势变换 Out C/V Develop Titler AOI Post Bake AK 置换水洗和直水洗 九、4Mask工艺流程介绍-Gate