Array工艺原理及工程检查-CVD精选.pptVIP

P-CVD基础 CONTENS PCVD基础 工艺要求特性 PCVD检查项目 PCVD管理技术 PCVD基础 PCVD原理 PCVD装置构造 PCVD成膜基础 能量损失因子 粒子m1和粒子m2相互发生弹性碰撞，根据动量守恒和能量守恒定律，可以得到粒子m1在碰撞种损失的能量比例为 所以电子在碰撞种损失的能量最小，而粒子在碰撞种损失的能量较大。 CVD (Chemical Vapor Deposition )化学气相沉积 借由气体混合物发生的化学反应，包括利用热能、电浆(Plasma)或紫外光照射等方式，在基板表面上(Substrate)表面上沉积一层固态化合物的过程 重要观念 经由化学反应或热分解 薄膜的材料源由外加气体供给 制程反应物必须为气相的形式 分类 等离子体中的反应 电子在电场作用下，温度一般可以达到10万℃，这时和分子碰撞导致发生如下反应： 非晶硅的生长原理 PCVD装置构造 Gas dissociation and combination 成膜基础 在多层膜成膜工艺中最重要的是薄膜间的界面处理，通常采用过渡层的思想来解决。比如，TFT中a Si和金属Cr的接触势垒较大，所以引入n+层降低接触电阻。同样G-Mo/Al采用两层金属结构，也是因为Mo和ITO的接触电阻很小。非晶硅采用低速/高速结构也是利用低速非晶硅的电子迁移率较高。在沉积非晶硅前通常对衬底用H2等离子体处理的目的也是在衬底上预沉积一层H原子，增大Si原子和衬底的浸润性。另外，界面也是缺陷和杂质离子容易聚集的地方，所以经常需要对界面进行等离子处理。 影响薄膜质量的影响因素很多，而且薄膜属于非晶材料，所以结果可能偏离理论知识。所以通用的做法是以实验为基础。所以多水平实验和正交实验法是常用的方法。所以要在实验的基础上，以理论知识为指导，不断总结规律。 PCVD适用工程 PCVD适用工程 G-SiNx膜的膜质 膜质确认的必要性 ①品质维持　（抑制Vgon/Vgoff依存的表示不均） ②确认装置的状态（MFC/RF/真空计是否异常） ａ-Ｓｉ 上图红色代表中心条件，非晶硅的厚度为300?，左边蓝色代表非晶硅的厚度为0?，右边为600?。 实验结果表明：非晶硅的厚度增加，开态电流增加，但是光电流也增加。 n+非晶硅 成膜检查项目和目的 成膜检查规格 工程管理技术 工程管理 ●产品结果测试参数的管理： 薄膜厚度、异物 ●试作基板的运行状态管理 膜厚、颗粒水平 ●真空等设备的日常管理 Maintenance ●消耗部品的交换 ●设备的清洗 ●工艺控制设备的校正 工程管理项目 不良项目 图形破损（微观外观检查、自动外观检查装置） 膜厚分布异常（宏观外观检查、断差测定仪测量） 不良解析 工艺日常管理项目 工艺维护 必要性：成膜时在电极和内壁也会堆积生成物，应力过大时会剥离产生颗粒，所以每次成膜后必须清洗掉生成物，抑制颗粒发生。 方法：NF3+e- → NF2+F- F-+e- → F +2e 频度：每次成膜后都进行Cleaning 工艺维护 定期维护项目：LL清扫、腔室开放清扫 定期维护频度： 维护后检查项目：达到真空压力确认 颗粒检查 成膜检查 * * 0.95 0.5 0.05 f 20 0.5 0.05 m1/m2 高深宽比填沟、金属上方低温氧化物或保护层 成本高、需RF系统、有微粒污染 低温、沉积快速、阶梯覆盖性佳及好的填沟能力 PECVDHDPCVD 高温氧化硅、氮化硅、多晶硅 高温、低沉积速率、需真空系统且维护不易 良好的纯度及均匀性，较好的阶梯覆盖性和产能 LPCVD 低温氧化层 有微粒污染，阶梯覆盖性不佳及低产能 反应器简单，沉积快速低温 APCVD 应用 缺点 优点 制程 ①电子和CH3、H2碰撞，产生大量的CH3-，H-等活性基； ②活性基被吸附在基板上，或取代基板表面的H原子； ③被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下，在基板表面迁移，选择能量最低的点安定； ④同时，基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体气氛中，所以达到动态的平衡； ⑤不断的补充原料气体，使原子沉积速度大于原子逃逸速度，薄膜持续生长。 To Pump Shower head 13.56 MHz RF (Deposition Only) Glass Substrate Gas In RPSC (Remote Plasma Source Clean) Deposition: SiN, Si, SiO2, etc. Plasma Cleaning: NF3 N2 +