半导体器件物理-JFET题材.pptVIP

3.1 JFET VGS 0的修正 偏置特点： VGS 0,栅结已经反偏，耗尽层宽度大于VGS＝0情况 ，沟宽减小 VDS 0，导电沟道形状还是与零偏时一样，沿沟道方向沟道截面积不断减小，沟道均比零偏情况下更窄 修正1: 线性区：有效沟道电阻增加,曲线斜率在减小， ID比零偏情况小 修正2: 饱和电压： 击穿电压： 3.1 JFET VGS 0的修正 3.1 JFET 夹断电压 夹断电压：沟道全夹断时（h a）的栅源电压VGS ， 记为Vp （耗尽器件Vp）n沟， Vp 0,使p+n结反偏；p沟， Vp 0,使n+p结反偏 （增强器件VT）n沟， VT 0,使p+n结正偏；p沟， VT 0,使n+p结正偏 VDS错改为VGS 计算：沟道夹断时，耗尽层宽度正好等于a，由单边突变结耗尽层公式 Vp Vbi- 例：若a 0.75μm，Na 1018cm-3，Nd 1016 cm-3，得Vbi 0.814V，VP -3.54V 结论：栅结偏压产生的电场改变了耗尽层大小，即改变了沟道电导， 从而控制了漏电流大小——电压控制器件 3.1 JFET 截止区与夹断电压 N沟耗尽型JFET的输出特性（ID-VDS）曲线簇： 非饱和区： 漏电流同时决定于栅源电压和漏源电压 饱和区： 漏电流与漏源电压无关，只决定于栅源电压 3.1 JFET I-V特性 * XIDIAN UNIVERSITY 3.2 JFET IDS-VDS特性定量分析 ID-VDS表达式可利用欧姆定律推导： I x J x ×A x σ×E x ×A x eμND ×[-dV x / dx] × w [a-h x ] * XIDIAN UNIVERSITY 3.2 JFET IDS-VDS特性定量分析 ID-VDS表达式（与下一章MOS器件类似） 非饱和区：0＜VDS＜VDS sat VGS -VP IDS＝β[2 VGS-VP VDS-VDS2] β称为跨导因子，β＝ eμnND dW/L L、W和d分别是沟道的长、宽和厚度 饱和区：VDS VDsat IDS＝β VGS-VP 2 1+λVDS λ为沟道长度调制系数,λ≡△L/ LVDS ， λ代表漏源电压引起的沟道长度的相对变化率。 截止区：VGS＜VP 沟道完全消失， IDS＝0 * XIDIAN UNIVERSITY 3.2 JFET IDS-VDS特性定量分析 JFET转移特性 转移特性：栅源电压VGS对漏极电流ID的控制特性。 通常用饱和区中的ID-VGS关系表示。 ID-VGS表达式：由饱和区IDS电流表达式可得 IDS＝β VGS-VP 2 β IDSS IDSS为栅压0V时的沟道漏电流 电压控制器件：输入电压VGS调控沟道电阻，控制IDS （BJT为电流控制器件） 输入端G-S为反向偏置，输入电流为反偏pn结电流，很小，输出阻 抗很高 （BJT低输入阻抗） 沟道电流IDS为多子漂移电流，所以JFET为单极器件 （BJT为双极器件） 饱和区指沟道电流为饱和的区域 （BJT饱和区指VCE基本不变区域） 3.1 JFET JFET器件特点 * XIDIAN UNIVERSITY END * * * * * * * * * * XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 第三章 结型场效应晶体管 * * 场效应器件物理 * XIDIAN UNIVERSITY 3.0 引言 FET（Field Effect Transistor） FET基本结构原理： 半导体导电沟道，阻值是受控的； 控制电极（栅电极）产生与沟道垂直方向上的“电场” 上述电场“调制”导电沟道的电导----场效应 * XIDIAN UNIVERSITY * pn-JFET pn Junction FET MESFET Metal-Semiconductor FET Schottly Barrier Gate MOSFET Metal- Oxide -