半导体器件原理(武汉东湖学院)2.2题材.ppt

上次课程重点复习 1.概念配图的方式进行复习 2.提问与答案 概念与图——平衡PN结 概念与图——空间电荷区 概念与图——空间电荷区 概念与图——动态平衡 概念与图——能带.能级.电场.电势 概念与图——能带.能级.电场.电势 平衡PN结以及两侧的载流子浓度分布 突变结和缓变结？ 半导体内的杂质从受主杂质突变为施主杂质时，称为突变结。如果一边的掺杂浓度远大于另一边（如：Na大于Nd） ，则p-n结势垒区主要是在轻掺杂一边，这种突变结即称为单边突变结。 缓变pn结（gradedp-njunction） 从p区到n区掺杂浓度逐渐改变的pn结，如用固态扩散工艺制造的pn结。大多数缓变pn结数学上可作为线性缓变结处理。通常由扩散工艺制备的pn结为缓变pn结，但在浅扩散结或高反偏时它更接近于单边突变pn结。 在实际器件中，掺杂分布是不会突变的，尤其在冶金结附近，两种杂质相遇并相互部长。因而，在热平衡状态下，缓变结pn结的电场分布呈非线性。 为什么掺杂浓度越高，PN结越窄？ 掺杂浓度过高，杂质原子过于靠近，从而相互结合，这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量，从而造成PN结变窄。 本次课程内容 1.PN结的非平衡双向直流特性 2.加偏压PN结的能带图变化以及原因 3.准费米能级与方案否决方案 反偏过程请对照课本进行尝试推导 让我们来看看理想的PN结，进行平衡时载流子浓度分布的计算公式推导 玻耳兹曼分布律 当有保守外力(如重力场、电场等)作用时，气体分子的空间位置就不再均匀分布了，不同位置处分子数密度不同。玻耳兹曼分布律是描述理想气体在受保守外力作用、或保守外力场的作用不可忽略时，处于热平衡态下的气体分子按能量的分布规律。 　　玻耳兹曼 (L.E.Boltzman)将麦克斯韦分布律推广到有外力场作用的情况。认为： 　　(1)分子在外力场中，总能量为E＝Ek+Ep； 　　(2)粒子的分布不仅按速率区间v～v+dv分布，还应按位置区间x～x+dx，y～y+dy,z～z+dz分布； 　　由此导出，分子既按速率区间(v～v+dv)又按位置区间(x～x+dx,y～y+dy,z～z+dz)分布的玻耳兹曼分布为，在等宽的区间内，若E1＞E2，则能量大的粒子数dN1小于能量小的粒子数dN2，即粒子优先占据能量小的状态，这是玻耳兹曼分布律的一个重要结果。 应用玻耳兹曼分布律进行推导 应用玻耳兹曼分布律进行的推导 对照课本巩固知识 准费米能级：准Fermi能级这个概念是为了方便讨论非平衡载流子的统计分布以及载流子浓度的能级而引入的。 对于处于热平衡状态的半导体，其中载流子在能带中的分布遵从Fermi-Dirac分布函数（f(E)），并且整个系统具有统一的Fermi能级（Ef），其中的电子和空穴的浓度都可以采用同一条Fermi能级来表示。 而对于处于非（热）平衡状态的半导体，由于Fermi-Dirac分布函数及其Fermi能级的概念在这时已经失去了意义，从而，也就不能再采用Fermi能级来讨论非平衡载流子的统计分布了。因此，非平衡载流子的浓度计算是一个很复杂的非平衡统计问题。 不过，对于非平衡状态下的半导体，其中的非平衡载流子可以近似地看成是处于一定的准平衡状态。例如，注入到半导体中的非平衡电子，在它们所处的导带内，通过与其他电子的相互作用，可以很快地达到与该导带相适应的、接近（热）平衡的状态，这个过程所需要的时间很短（该时间称为介电弛豫时间，大约在10-10ps以下），比非平衡载流子的寿命（即非平衡载流子的平均生存时间，通常是μs数量级）要短得多，所以，可近似地认为，注入到能带内的非平衡电子在导带内是处于一种“准平衡状态”。 方案否决方案的做事准则。 * 半导体器件原理 刘佳榆 武汉东湖学院 TelEmail:979404632@ 概念： 势垒区 中性区 玻耳兹曼分布律 把下面两个方程代入最上面的方程可得到： 以上推导过程是 平衡时边界处载流子浓度 *