薄膜工程学-最终版题材.ppt

经过一系列理论的推导，得到热电子的发射电流密度为： 从上式可以看出，热电子发射理论能说明薄膜的电导温度系数为正，电阻温度系数为负。 。 但是，对于岛状金属薄膜来说，这个理论有不少严重的缺陷： （1）为引入外加电场的影响。 （2）为考虑位垒 与小岛尺寸即岛间距离的关系 该理论是在热电子发射理论的基础上产生的，给理论的实质是在电子逸出金属小岛表面，需要克服的位垒中，引入了镜像力和外加电场的影响。 6.1.2肖特基发射理论 得到岛状波膜的电导率为： 从上式可以看出， ※在弱场强的作用下，因为 很小，岛状薄膜的 几乎与F无关，符合欧姆定律。 ※在强电场下，因为 较大，而有 这时薄膜的伏安特性曲线显著的偏离欧姆定律，这个结论也与实际情况相符。 存在的问题： 为给出岛状薄膜电导对小岛尺寸及岛间距离的依从关系。 上式给出的电导率值也还远不能符合实际数值。 该理论认为，由于热活化的结果，电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛，因而使原来中性的一些小岛带有电荷。在载电小岛和中性小岛间的电子传输则是一个隧道过程。 6.1.3活化隧道理论 这个理论是在1962年由纽盖保尔和维波首先提的，因此有时也称为钮-波理论 这个理论的本质是把载流子的热活化产生机理与隧道效应相互结合起来。 经过一系列的理论推导，得到岛状薄膜的电导率为： 从上式可看出， ※活化隧道理论与肖特基发射理论类似，也可以说明岛状薄膜电导率与温度和外加场强的关系。 ※不同的是：它还能比较正确的说明电导率与小岛尺寸和岛间距离的关系。 存在问题： 认为电子了来自中性小岛，不能解释观察到的大电流。 把活化能和隧道位垒看作是互不相关的，各在不同阶段起作用，与实际情况存在偏差。 6.1.4连续薄膜的电导理论 设有一块薄膜如下图所示，其厚度为d（沿Z轴方向），d的大小为块状材料中电子平均自由程的数量级。 若电子的运动方向与X轴方向成一角度（如下图），则在Z轴方向有一个速度分量。因此，可能在沿X方向的距离小于 处，与薄膜的表面相碰撞。从而干扰了电子沿X轴方向的速度。影响到薄膜的电导率。显然，当薄膜的厚度越小这种干扰就越大，薄膜的电导率越小。 从上面的关系可以看出：在知道了薄膜厚度、块材的电导率后和平均自由程之后，就可以用（﹡）式，求得薄膜的电导率。 在k远大于1时，由（﹡）式得： 对连续薄膜电导的讨论 按表面电子的反射情况，可将连续薄膜分为三类。 第一类是表面粗糙，对电子全是漫反射。这类的薄膜的 第二类是表面光滑，对电子是部分漫反射，部分是镜面反射， 这类膜的 第三类膜的表面光滑程度达到原子级。因而，其表面对电子 全是镜面反射， ※实际的薄膜属于第二类薄膜。 若为粗糙表面并且k远大于1， 因为 所以从该式可以清楚的看出： 薄膜的厚度越小，它的电阻率就越大于块状材料。 对于部分漫反射情况，在k远大于1时，可得到： 对于同样的薄膜，表面光滑程度的改善以后， p从零逐渐增大，薄膜的电导率变大。 第八章薄膜的形成与生长 ※气态原子凝聚：三维成核 ※扩散过程：核长大到连续成膜。 8.1形核 形核是薄膜的诞生过程， 从本质上是一个气固相转化问题 。 8.1.1凝聚过程 ※气态原子的凝聚是气态原子与所达到的基片表面通过一定的相互作用而实现的，这一相互作用即为气态碰击原子被表面原子的偶极距后四极距吸引到表面，结果原子在很短时间内失去垂直于表面的速度分量。 ※只要原子的入射能量不太高，则气态原子就会被物理吸附。被吸附的原子被称为吸附原子。 ※吸附原子在表面具有一定停留或滞留时间，在这一时间里，吸附原子可以和其他吸附原子作用形成稳定的原子团或被表面化学吸附，同时释放凝聚潜热。 ※如果吸附原子没有被吸附，它将会重新被蒸发或脱附到气相中。因此凝聚是吸附和脱附的平衡效果。 “凝聚”或“粘滞”系数，碰击原子被注入到基片（表面）的几率。它是由凝聚在表面的原子书与总碰击原子数之比来确定。 吸附原子在基片表面移动，在被脱附之前，具有的平均停留时间为： 在停留时间，一个平衡态的吸附原子在基片表面上扩散，扩散距离 由布朗运动中的爱因斯坦关系式给出： 8.1.2成核理论 在这均匀成核理论中，原子团势由吸附原子在基片表面的碰撞而形成。起初自由能变化随着原子尺寸的增加而增加。直到原子团达到临界尺寸r*。当原子尺寸继续增加，自由能开始下降。 形成半径为r的球型原子团的Gibbs自由能有表面自由能和凝聚体的自由能之和给出： 当原子半径小于r*时，原子团不稳定。而当原子团尺寸大于r*时，原子团聚集体变得稳定。 如果临界晶核是冠状的，则在凝聚相（c）-气相（V）-基片（s）系统中，由表面张力平衡： 从上图中可以注意到：随着过饱和度的增大（如高焓点材料及低基片温度），r*减小。也就是说：大量