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氮化硅的刻蚀及其它应用 　　【摘要】氮化硅介质作为集成电路或半导体功率器件的介质层，具有掩蔽杂质沾污的作用，通过一系列试验研究，找到了氮化硅的干法、湿法刻蚀工艺，对半导体器件的性能有很好的提高，并且通过试验，还发现氮化硅具有透明耐摩擦的特性，可用于制作掩膜版的保护膜。 　　【关键词】Si3N4（氮化硅）；刻蚀；保护膜 　　引言 　　氮化硅（silicon nitride）薄膜是无定形的绝缘材料，具有以下特性： 　　（1）对扩散来说，它具有非常强的掩蔽能力，尤其是钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢； 　　（2）通过PECVD可以制备出具有较低压应力的氮化硅薄膜； 　　（3）可以对底层金属实现保形覆盖； 　　（4）薄膜中的针孔很少。 　　作为选择氧化的掩蔽层时，可以把氮化硅直接淀积到硅衬底的表面上，有时考虑到氮化硅与硅直接接触产生应力，形成界面态，往往在硅表面上先淀积一层二氧化硅作为缓冲层，然后再淀积一层作为掩蔽层的氮化硅。因氮化硅氧化速度非常慢，只要氮化硅具有一定的厚度，它将保护下面的硅不被氧化。 　　目前我们就是采用在Si3N4下面再做一层SiO2的方法，使Si3N4起掩蔽的作用，通过一些试验研究出它的干法、湿法刻蚀工艺条件，还发现了它在光刻版上的应用。 　　1、Si3N4薄膜的制备 　　1.1Si3N4薄膜制备原理 　　氮化硅可替代氧化硅使用，特别是对顶部保护层，在铝金属层上淀积时，其温度要足够低。PECVD的出现开始了不同化学源的使用，其中之一是硅烷与氨气或氮气在氩气等离子体状态下反应。 3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2 　　然而，PECVD制作的氮化硅往往是非化学配比的，含有相当数量的氢原子（10%～30%），因此有时候化学表示式写为SixNyHz。由SiH4-N2制备的薄膜含有较少的氢和较多的氮。 　　PECVD氮化硅的淀积反应式如下： 　　1.2制备Si3N4薄膜 　　利用等离子增强型化学气相淀积，在较低温度生长Si3N4薄膜，选用的设备为PECVD（等离子化学气相淀积） 　　根据以上工艺条件在9000?氧化层上淀积Si3N4薄膜 　　2、Si3N4薄膜的刻蚀 　　刻蚀是利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等进行刻蚀加工的工艺。刻蚀湿法腐蚀和干法刻蚀两种方法。湿法刻蚀是利用溶液中发生化学反应来进行腐蚀的方法。以光刻胶作为掩蔽，湿法刻蚀在纵、横两方向将以同样比例进行腐蚀，称此为各向同性腐蚀。干法刻蚀有等离子刻蚀的各向同性方法，但是，反应离子刻蚀（RIE）、溅射刻蚀由于在纵向是选择性刻蚀，故称为各向异性刻蚀。 　　Si3N4等离子刻蚀的气体通常有CF4、SF6、SiCl4、NF3等 　　2.1 Si3N4薄膜的干法刻蚀 　　2.1.1干法刻蚀原理 　　干法刻蚀（dry etching）是指以气体为主要媒体的刻蚀技术，晶圆不需要液体化学品或冲洗。晶圆在干燥的状态进出系统。有三种干法刻蚀技术：等离子体、离子束打磨（刻蚀）和反应离子刻蚀（RIE）。 　　置入等离子场中的分子因等离子能量的激励，生成了活性的游离基分子、原子，这些活性游离基分子、原子引起化学反应，形成挥发性产物，而使被蚀物剥离去掉。游离基种类不受电场影响而处于向四面八方的热运动之中，故成为各项同性。 　　2.1.2PECVD做Si3N4干法刻蚀 　　a）使用设备：AME8110刻蚀机干法刻蚀Si3N4 薄膜 　　b）使用气体：SF6、N2和O2 　　c）通过一系列的试验，得出干法刻蚀工艺条件如下： 　　d）由于采用氮化硅-二氧化硅-硅结构（如图2），在氮化硅被刻蚀后下面有SiO2保护硅表面，所以，可以不考虑刻蚀的损伤，刻蚀后明显看出表面颜色变化 　　e）再将残留的氧化物用HF：NH4F（溶液）=1：5 T=37±1℃腐蚀约5min后即可看见硅色。 　　2.2 Si3N4薄膜的湿法刻蚀 　　2.2.1湿法刻蚀原理 　　氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，它比二氧化硅更加耐酸，除HF和热磷酸能缓慢地腐蚀它外，其他的酸几乎不与它反应. 　　2.2.2 PECVD做Si3N4湿法刻蚀 　　a）使用设备：清洗机 　　b）腐蚀试验条件： 　　1）高温腐蚀液：HF：NH4F（溶液）=1：5 T=37±1℃ t =1min～2min 　　2）低温腐蚀液：[HF：NH4F（溶液）]：HAC=2：1，其中HF：NH4F（溶液）=1：5，温度为室温， t =3min～3min30Sec 　　3）低温腐蚀液：HF：NH4F（溶液）=1：5 T=27±1℃ t=1min～2min 　　c）腐蚀结果分析： 　　腐蚀后通过在显微镜下观察，用低温腐蚀液腐蚀存在以下两方面问题：