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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Single Core ? Multi-/many Cores Response time ? Throughput Data Computing ? Data Transferring Computing Features in BigData大数据时代的计算特点 Increasing the concurrent number of threads Improving the number of threads per watt Decreasing the power of each thread Large Storage and Low Power Main Memory Scalable? Limitation in cell-bitline capacitance ratio Poor scalability Power? more and more static power refresh power 40%~50% of system energy (from IBM report) high power/energy Can Current main memory deal with these?当前的主存能够应对吗 Alternative Memory Technology: Non-volatile Memory 1966年由Stanford大学研究者第一次提出，但由于相变材料物理属性的限制，无法得到应用。随着Ge2Sb2Te5 (GST)合金材料发现，重新得到重视，将作为Flash和主存的替代技术。 IBM、三星、Intel和美光是四个主要的PCM研制厂商。 2011年7月IBM和Infineon、Macronix共同研制成果90nm工艺多位PCM芯片。 2012年2月三星在ISSCC（芯片设计界奥运会）上发布20nm工艺8G PCM存储芯片。三星对于PCM技术的研究要早于IBM，在2005年，IBM正式宣布研究PCM时，三星就宣布计划在智能手机上使用PCM存储芯片。 Phase-change Memory (PCM)相变存储器 Phase-change Memory (PCM)相变存储器 Amorphous state: high resistance (高阻态) “0” Crystalline state: low resistance (低阻态) “1” Multi-bit cell: one cell stores multiple bits Non-Volatile: no static power and no refresh power Low power scalability Phase-change Memory (PCM)相变存储器 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Overview of Main Memory (DRAM) 主存概述（动态随机存储器） Main Memory System Organization 主存的组成 Basic DRAM Memory-Access Protocol 基本DRAM访问协议 Data Placement in Main Memory 主存中数据的摆放 Next Generation Non-volatile Memory (NVM) 下一代非易失存储 Topics主题 Which Access Protocols are in DRAM?DRAM中有哪些访存协议？ Read 读 Write 写 Burst Mode 突发模式 Precharge 预充电 Refresh 刷新 Initialization 初始化 DRAM：4096 × 2048 × 4-bit 4 banks 12-bit address bus (A0~A11) 2-bit bank bus (BA0~BA1) Initialization (1)初始化 Typically, there is a register, mode register, in DRAM chip 通常，DRAM芯片内部有一个“模式寄存器” Initialization sets mode register by the north bridge chipset under the control of BIOS