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第5章 氧化 硅片上的氧化物可以通过热生长或者淀积的方法产生。在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层。高温氧化工艺发生在硅片制造厂的扩散区域，是硅片进入制造过程的第一步工艺；淀积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。本章将介绍氧化的基本工艺技术并阐述热氧化的高温工艺。 由于硅片表面非常平整，使得在硅片上生长或淀积的氧化物主要为层状结构，称之为薄膜。一旦在硅片上形成薄膜，利用掩蔽工艺对薄膜修改，则可以获得槽电容和栅极氧化物等电路元器件设计需要的三维形状。这种在硅表面上做三维形状的修改工艺称为形貌学或表面工艺。 第5章 氧化 通过将硅片曝露在高温的氧气氛围里，能生长氧化物，这是种自然现象。硅常被认为是最普遍应用的半导体衬底材料，一个主要原因就是硅片的这种生长氧化层的能力（另一个主要原因是硅相对高的熔点温度）。用“生长”一词表明：在温度作用下，氧化物从硅半导体材料上生长出来，在生长过程中实际消耗了硅。 工艺中硅曝露需要的热能（如将温度乘以时间）称为热预算（thermal budget）。硅基制造业中需要的热预算正在快速下降，半导体工艺的目标之一是尽量降低硅需要的热能。当器件结构的临界尺寸降到0.18um及其以下时，根据按比例缩放的要求，这需要有更浅的结深，为了将浅结区外的不可接受杂质扩散降至最小，热预算必需适当地增加。额外热预算引起的另外一个问题是增加互连线的金属层的欧姆电阻，这将全面增加导线的电阻。决定大多数硅基半导体工艺条件的一个因素是通过降温或者减少时间使热预算最小化的能力。 5.1 氧化膜 通常硅上热生长氧化层的温度在750℃－1100℃之间。硅上生长的氧化层称为热氧化硅（thermal oxide）或热二氧化硅（SiO2）.二氧化硅是一种介质材料，不导电。 5.1.1 氧化膜的性质 当硅片曝露在氧气中时，会立刻生长一层无定形的氧化膜。虽然不掺杂的硅是半导体材料，可SiO2却是种绝缘体。这种SiO2膜的原子结构是由一个硅原子被四个氧原子包围着的四面体单元组成的。 5.1 氧化膜的性质 SiO2是具有熔点温度1732℃的本征（纯）玻璃体。热生长的SiO2能紧紧粘附在硅衬底上，并具有优良的介质特性。硅表面总是覆盖一层SiO2，这是因为硅片只要在空气中曝露，就会立刻在其上形成几个原子层的自然氧化膜。即使长时间曝露在25℃的室温下，这层氧化膜的厚度也只能达到40?左右。这种氧化物是不均匀的，在半导体工艺中常被认为是种污染物。自然氧化物在硅基半导体工艺中仍然有一些用途，如用做存储器单元的复合介质层。虽然自然氧化物在空气中生长会被污染，但是在化学清洗槽中使用高纯化学试剂生长的自然氧化物是非常洁净的。 5.1 氧化膜的性质 SiO2是一种十分理想的电绝缘材料，采用高温氧化法制备的SiO2的电阻率可以高达1016Ω-cm以上。另外它的耐击穿能力很强，通常用介电强度描述绝缘介质的抗击穿能力。介电强度是指单位厚度的绝缘材料所承受的击穿电压。SiO2膜的介电强度与致密程度、均匀性、杂质含量等有关，它的介电强度约为106－107V/cm。 SiO2的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟酸发生化学反应，因此在集成电路工艺中经常利用氢氟酸腐蚀SiO2层。 SiO2与氢氟酸的化学反应方程式为： SiO2+4HF→ SiF4+2H2O 该反应生成的SiF4能进一步与氢氟酸反应生成可溶于水的络合物－六氟硅酸，其反应方程式为： SiF4+2HF → H2（SiF6） 总的化学反应方程式为： SiO2+6HF→ H2（SiF6）+2H2O 氢氟酸对SiO2的腐蚀速率与氢氟酸的浓度、温度、SiO2的质量以及所含杂质的数量等因素有关。利用不同方法制备的SiO2的腐蚀速率相差很大。 5.1.2 氧化膜的用途 由于氧化物制备容易并且与硅衬底有着优良的界面，使其对于硅基半导体工艺很重要，同时也成为最普遍应用的膜材料。氧化层在制造微型芯片中的应用有以下几个方面： 保护器件免划伤和隔离沾污 限制带电载流子场区隔离（表面钝化） 栅氧或存储器单元结构中的介质材料 掺杂中的注入掩蔽 金属导电层间的介质层 5.1.2 氧化膜的用途 器件保护和隔离 硅片表面上生长的二氧化硅可以作为一种有效阻挡层，用来隔离和保护硅内的灵敏器件。这是因为SiO2是种坚硬和无孔（致密）的材料，可用来有效隔离硅表面的有源器件。坚硬的SiO2层将保护硅片免受在制造工艺中可能发生的划伤和损害。通常晶体管之间的电隔离可以用LOCOS工艺，在它们之间的区域热生长厚SiO2隔离实现。然而，这对于0.25um工艺技术不接受，但可用浅槽隔离（STI）来代替。STI工艺技术用淀积的氧化物来做主要的介质材料。 5.