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亚波长谐振腔实现方法研究 　　【摘 要】谐振腔作为微波器件与天线的基本组成部分，其小型化对于微波系统的尺寸缩减具有重要意义。本文分析了实现亚波长谐振的条件，并结合最新的人工电磁介质（MTMs），分析了单负介质（SNG）、双负介质（DNG）部分填充结构的亚波长谐振特性。 　　【关键词】亚波长；谐振腔；单负介质；双负介质 　　0 引言 　　谐振腔是微波电路中一个不可或缺的器件。现代微波集成电路的发展要求减小器件尺寸，而传统谐振腔的工作波长与腔体尺寸相当。本文从Maxwell方程和边界条件出发，理论上分析了实现亚波长谐振的条件。电磁特异性介质材料（Metamaterials简称MTMs）[1]是指人工合成的具有自然介质材料所不具备的电磁特性的新材料。其中典型的为负折射率介质（NIM）又称为双负介质（DNG）、左手征材料（LHM）或者后向波媒质（BW）。早在1967年，前苏联理论物理学家Veselage在他的经典论文Substances with Simultaneously Negative Values of ε and μ中提出了双负介质的概念[2]，但因为自然界找不到这样的材料而被搁置。直到上个世纪末英国皇家学院院士Pendry提出了分别实现负介电常数和负磁导率的人工电磁结构[3-4]，即MTMs的构造理论，并于2001年由加州大学圣迭戈分校物理系的Smith等在微波实验中首次实现[5]。从此MTMs获得了广泛的认可，相关的研究也蓬勃开展起来。根据理论分析，如将单负介质（介电常数和磁导率其中一个为负）或者双负介质（介电常数和磁导率同时为负）部分填充于谐振腔中，将出现谐振频率与谐振腔尺寸无关的谐振模式，即亚波长谐振模式[6-7]。亚波长谐振腔的实现对缩减微波集成电路尺寸，构造新型微波器件有着重要的价值。 　　1 介质填充谐振腔的谐振本征方程 　　设一z向柱状谐振腔，xy平面内形状可以任意而不影响结论，为讨论方便，本文采用矩形。腔内沿z向分别填充两部分介质，如图1。对应I、II区域填充介质1和介质2，厚度分别为d1、d2，电磁参数为？着1、？滋1；？着2、？滋2。在假设腔内介质无耗、绝缘的情况下，根据Maxwell方程组可以得到一组时谐Helholtz方程： 　　用分离变量法，先求出TE模和TM模的纵向分量，横向分量根据Maxwell旋度方程可以用纵向分量求出[8]。代入边界条件后得到TE和TM波对应的本征方程： 　　2 本征方程亚波长谐振模式解的讨论 　　为方便讨论式（11）的解，令矩形波导a=b=d1+d2=1（cm），后面章节讨论时也采用这种尺寸的谐振腔，如无另外说明，所有长度单位均为厘米，且只讨论主模TM11s模：k112≈19.74×10-4。 　　图2所示为对应不同？着r1的？姿11S与d1关系曲线。图中由下至上？着r1=1，1.2，…，2。 　　注意：为直观起见，横坐标使用的是谐振频率对应下的真空波长，单位为厘米。 　　此时只有一个TE模本征方程有解： 　　讨论主模TE10s模：k102≈9.87×10-4，取？着r1=2，通过数值模拟得到对应不同？滋r1的？姿10S与d1关系曲线，如图3。 　　注意：为直观起见，横坐标使用的是谐振频率对应下的真空波长，单位为厘米。 　　c）小结和推论 　　由a）和b）中的公式和数值模拟结果可知，使用单负媒质填充普通谐振腔可以实现亚波长谐振。填充的是磁负还是电负媒质，决定谐振模式是TE模还是TM模。改变填充比例可以得到不同的谐振波长。可以推论，如果在I区和II区分别填充电负和磁负媒质，也可以实现亚波长谐振，TE模和TM模均有解，且谐振波长主要与介质参数和填充比例相关。图4以II区真空I区填充电负介质为例给出了TM11S模在x=a/2平面内的场型图。计算时取？着1=-1.2？着0，？滋1=？滋0，a=1m，d1=0.68m，d2=0.32m。 　　此时，TE模和TM模本征方程均可能有解。 　　本征方程变为： 　　图5为？姿10S与d1关系曲线，图6为？姿11S与d1关系曲线。可见，利用双负介质和传统介质同样可以实现亚波长谐振。 　　注意：为直观起见，横坐标使用的是谐振频率对应下的真空波长，单位为厘米。 　　3 亚波长谐振腔谐振波长的近似公式 　　假设谐振腔是立方体，a=b=d。我们以主模TE10s为例。 　　4 结束语 　　本文研究了亚波长谐振器的构造方法。研究表明，利用新型人工电磁介质进行部分填充，可以实现亚波长谐振腔，谐振波长主要与腔体内的填充介质和填充比例有关。本文的研究对于亚波长谐振腔的实现，缩减微波集成电路尺寸，构造新型微波器件十分有意义。 　　【参考文献】 　　[1]Rokhesh S. Kshetrimayum，