2013-22-Johnston-RadiationEffectsinOptoelectronicDevices试题.docxVIP

Radiation Effects in Optoelectronic Devices空间环境大多数的光电器件对位移损伤更加敏感，而不是电离损伤。银河宇宙射线深空中，LET值大于铁原子（铁阈）的粒子通量平均只有1个/cm2。GCR粒子穿透能力很强，但通量相比于太阳风暴中的质子来说却很低。因此它只能产生相对较少的总剂量和位移损伤，深空中GCR产生的年总剂量只有100 rad（Si）。单个宇宙粒子的电离轨迹可以沉积足够的电荷而使存储单元内产生单粒子翻转和其它的单粒子效应。GCR粒子也可以在探测器中产生瞬态效应，这也许会影响读出电路和信号处理电路。太阳风暴地球辐射带的俘获粒子大多数运行在低轨道（1500km以下）的飞行器主要面对的是质子带，然而，由于地磁场和两极没有对准且部分磁场的非均匀性会使得质子带延伸靠近诸如SAA（南大西洋异常）这样的区域。在外部还有一个电子带，它对于同步轨道（3768km）飞行器来说尤为重要。电子带对于高倾斜LEO也十分重要，因为电子带的边缘十分靠近极地的地球表面，因此对于高倾斜轨道来说电子和质子都对其辐射环境有重要的贡献。火星的辐射带要比地球强烈的多。粒子损伤与能量的相关性LEO轨道的质子谱Fig. 4. Proton energy spectrum in a low-Earth orbit for two different sphericalshielding conditions, based on the AP-8 proton model如上图是地球质子带的能量谱，两条曲线是不同屏蔽层厚度的情况。100 mils Al屏蔽层的能量峰值为15MeV，而400 mils 厚度的屏蔽层其能量峰值增加为35MeV。峰值能量随着屏蔽层厚度的增加而向高能方向漂移这是十分重要的。电子谱地球辐射带外带的电子谱的能量分布较窄，约为0.5MeV-9MeV，平均能量为3MeV。损伤与能量的关系能量低于30MeV的质子主要通过卢瑟福散射与核子发生反应。低能质子可以比高能质子转移更多的能量因为它的速度低，增加了横截面。所以，对于能量低于8MeV的质子产生位移效应是1/E的关系。电子产生位移损伤有一个最小能量阈值，并且当大于此阈值时，位移损伤随着电子能量增加而增加。定义和规范因子中子损伤：反应堆中的裂变中子有较广的能量范围（从热中子到10MeV），其平均能量大约为1.5MeV。目前通常的做法是把中子损伤表达为1MeV中子的等效损伤。由于不同反应堆的中子通量不同，所以早期的工作是在结合实验测量的影响和中子谱的测量基础上，用“硬度因子”来反应不同的反应堆。表一显示了两种反应堆的硬度因子。这个因子用来从“快通量”反应堆计算等效1MeV中子通量。硬度参数提供了近似的修正因子用来解释早期的中子数据。位移损伤计量DDD：当前实践使用DDD作为位移损伤的度量，它的单位为MeV/g。如果我们有粒子的能谱，那DDD是NIEL在能量范围内的积分：是微分能谱。如果我们只有单个能量则DDD为：GaAs，Si，InP的NIEL计算值在表2中。NIEL对于不同能量都与实验结果吻合的较好，但除了GaAs材料在能量大于50MeV的情况。对于某个类型的LED，NIEL计算与实验结果有较大的分歧。如图6所示，NIEL值在高能部分较平缓，但两极参杂GaAs和AlGaAs LED的实验结果却显示相对损伤随着能量增大而减小。这种分歧是十分重要的，因为LEO轨道的（屏蔽后）大多数质子能量都在2-40MeV，而通常只有实验用高于50MeV的质子，因此使用NIEL可能会低估实际的DDD（低估5倍甚至更多）。所以在测试时选用较低的能量是有好处的。半导体位移损伤效应对位移损伤最敏感的半导体参数是少数载流子寿命，寿命损伤与粒子通量有关：是初始寿命，是辐照后退化寿命，K是寿命损伤常数。K与粒子类型，能量和注入水平有关。几种半导体的K值如表3所示，GaN和SiC的损伤常数要远高于Si和GaAs。对于许多半导体器件（如双极晶体管和探测器）扩散长度L是很重要的器件属性。它与少数载流子寿命有关位移损伤对迁移率的影响可以由β来描述：是初始迁移率，这里的损伤常数与少子寿命的损伤常数不同。位移损伤也会影响载流子浓度，因为深能级缺陷会俘获多数载流子，这也叫做载流子移除效应。对于一个n型半导体，它可以描述为：是初始载流子浓度，n是辐照后载流子浓度。是载流子移除率，在线性范围内，载流子移除率近似为3-10 cm-1。对于3-5族半导体器件，载流子寿命对器件工作的影响较小（例如JFET和HFET），对于这样的器件，载流子移除通常是最重要的辐射损伤效应。相比于重参杂，轻掺杂的区域更容易受到载流子移除效应的影响。图7显示了位移损伤在轻掺杂硅中对几种电参数的影响。噪声通常有4种不同的机理：热噪声，产生于材料