3-5-4热释电器件辩析.pptVIP

3.5.3 热释电器件 一、 热释电器件的基本工作原理 2. 热释电器件的工作原理 二、 热释电器件的噪声 3. 温度噪声 4 响应时间 三、热释电探测器的阻抗特性 四、热释电器件的类型 3. 钽酸锂（LiTaO3） 4. 压电陶瓷（PZT）热释电器件 5. 聚合物薄膜热释电器件 思考题与习题 * * 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。优点： ①　具有较宽的频率响应，工作频率接近兆赫兹， 远远超过其它 热探测器的工作频率。 一般热探测器:1~0.01s 热释电器件:10-4 ~ 3×10-5 s ②　热释电器件的探测率高； ③　热释电器件可以有大面积均匀的敏感面， 而且工作时可以不外加接偏置电压； ④　它受环境温度变化的影响更小； 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，且 制造比较容易。 1. 热释电效应 电介质 的极化——“位移电流” 一般的电介质，在电场除去后极化状态随即消失，带电粒子又恢复原来状态。而有一类称作为“铁电体”的电介质在外加电场除去后仍保持着极化状态，称其为“自发极化”。 自发极化强度PS： 单位面积上的电荷量 随着温度的升高，极化强度减低。 当温度升高到一定值，自发极化突然消失，这个温度常被称为“居里温度”或“居里点”。 在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数——热释电器件。 当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信号输出。 因此，在恒定辐射作用的情况下输出的信号电压为零。 只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 在垂直于极化方向的表面上，面束缚电荷密度σ与自发极化强度Ps之间的关系： 式中，S和d分别是晶体的表面积和厚度。 只要使热释电晶体的温度在面束缚电荷被中和掉之前因吸收辐射而发生变化，晶体的自发极化强度PS就会随温度T的变化而变化，相应的束缚电荷面密度σ也随之变化。 设晶体的自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为Ad。由此引起表面上的束缚极化电荷为： Q = Adσ=AdPs 若辐射引起的晶体温度变化为ΔT，则相应的束缚电荷变化为 ΔQ =Ad(ΔPs/ΔT)ΔT =? AdγΔT 式中，γ = ΔPs/ΔT称为热释电系数，其单位为c/cm2?K， 与材料的特性有关的物理量，表示自发极化强度随温度的变化率。 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流为 式中，dT/dt为热释电晶体的温度随时间的变化率， 温度变化速率与材料的吸收率和热容有关，吸收率大，热容小， 则温度变化率大。 通常热释电器件的电极按照性能的不同要求做成面电极和边电极两种结构。 面电极结构中:电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 电极面积较大，极间距离较少，因而电容较大，故其不适于高速应用。 边电极结构中:电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，因此极间电容较小。因此，适于高速运用 热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 可见，热释电器件的电压响应正比于热释电系数和温度的变化速率dT/dt，而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端，其等效电路如图。 由等效电路可得热释电器件的等效负载电阻为 R(=Rs//RL)和C(=Cs+CL):热释电器件的等效电阻和等效电容。 则RL的模值为 对于热释电系数为γ ，电极面积为A的热释电器件，其在以调制频率为ω的交变幅射照射下的温度可以表示为 式中，T0为环境温度，于是热释电器件的温度变化率为 输入到放大器的电压为 由 可得输出电压的幅值为 式中，τe＝RC为电路时间常数，R =Rs∥RL，C=Cs＋CL。 τT 为热时间常数。τe、τT的数量级为0.1～10s左右。 Ad为光敏面的面积，α为吸收系数，ω为入射辐射的调制频率。 分析： (1) 当入射为恒定辐射，即ω＝0时，Sv=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏； (2) 在低频段ω＜1/τT或1/τe时，灵敏度S v与ω成正比，为热释电器件交流灵敏的体现。 (3) 当τe ≠