3-位错应力场-应变能-线张力-35辩析.pptVIP

2.4 位错的应力场 位错周围的点阵发生不同程度的畸变。 位错中心部分畸变程度最为严重，这部分超出了弹性应变范围。 位错中心区以外为弹性畸变区，借助弹性连续介质模型可讨论位错的弹性性质。 位错的弹性性质 应力和应变分量 螺型位错的应力场 刃型位错的应力场 位错的应变能和线张力 符号规定 ?ij表示作用在垂直于i轴的面上，指向j轴方向的应力分量； ?ij表示作用在垂直于i轴的面上，指向j轴方向的应变分量； 正面（右、前、上面）上的应力，与座标轴正向一直为正，负面（左、后、下面）上的应力，与座标轴负向一致为正。 正应变以伸长为正，切应变以直角变小为正。 由于单元体很小，作用于两侧的应力变化可以忽略不计 例如，前后两面应力分量对应相等； 根据力偶平衡条件 所以，独立的应力分量只有6个 应变分量也有9个，6个独立。 螺型位错的应力场 刃位错在柱坐标中的应力场 当位错线//z轴, 半原子面位于+y 滑移面xoz面 刃型位错应力场特点 应力分量与b成正比，与r成反比（同螺型位错），中心区不适用 沿位错线长度方向无变化（同螺型位错） 相对于半原子面，应力场镜面对称 滑移面上没有正应力；而在45°方向没有切应力 不同位置应力的方向 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 2.5 位错的应变能和线张力 在描述体系稳定程度或变化趋势时采用能量的概念 在讨论体系的变化途径时则用力的概念 点阵畸变产生的应力场使缺陷相互作用，以降低应变能 位错线周围原子偏离平衡位置，晶格产生不同程度的畸变，导致能量提高。这部分额外的能量称为位错的应变能 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 2.5.1 位错的应变能 位错的存在在其点阵周围产生弹性应变与应力， 储存的能量（应变能）包括： 包括位错中心区以外（弹性区）的能量和中心区的能量 中心区的能量不易计算 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 位错的应变能 1.中心区：以位错线为轴，r0（接近b，约10-8cm）为半径的圆柱体区域 2.位错长程应力场的能量 但必须对晶体作如下简化： 一、忽略晶体的点阵模型，把晶体视为均匀的连续介质，内部无间隙，晶体中应力、应变等参量的变化是连续的，不呈任何周期性 二、把晶体看成各向同性，弹性模量不随方向而变化 仅讨论中心区以外的弹性畸变区，借助弹性连续介质模型讨论位错的弹性性质 此区域内晶格畸变严重，超出弹性应变范围，虎克定律不适用 可以采用弹性连续介质模型加以计算 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 单位体积的弹性能 虎克定律：弹性体内应力与应变成正 比，即: σ＝E×ε 单位体积弹性体储存的弹性能 单位体积储存的弹性能等于应力一应 变曲线弹性部分阴影区内的面积，即 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 螺型位错的应变能 制造一个单位长度的螺位错，将晶体看作各向同性、连续介质的圆柱体 圆柱体内螺位错的形成 a 和微园环的应变 b 沿图示的滑移面上发生相对滑移，然后把切开的面胶合起来 螺型位错周围的晶格都发生了一定的应变 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 螺型位错的应变能 估算位错的应变能时，只计算r＞r0的区域 在圆柱体中取一个微圆环，它离位错中心的距离为r，厚度为dr 位错形成的前、后，该圆环的展开 位错使该圆环发生了应变，此应变为简单剪切型，在整个周长上均布 在沿着2πr的周向长度上，总的剪切变形量为b，所以各点的切应变为γ： * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 螺型位错的应变能 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 刃型位错应变能 类似方法可求得单位长度刃型位错应变能， 式中ν为泊松比，约为0.33 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 混合位错的应变能 混合位错都可分解为一刃型位错和一个螺型位错，设其柏氏矢量b与位错线交角为θ，则 : * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 混合位错的应变能 刃位错 θ 90°，螺位错 θ 0°则变为各自应变能表达式 实际晶体中，r0约为埃的量级（10-8cm）；r1约为亚晶尺寸，为10-3~10-4cm，v取1/3 α值可取为0.5~1.0 单位长度位错应变能E αGb2 螺型位错α取下限0.5，刃型位错则取上限1.0，混合位错取中限 在晶体中最易形成螺型位错，最难形成刃型位错 * 蔡格梅 gmcai2002@163.com * 1）E与b2呈正比，b小则应变能低，位错愈稳定;际晶体中只有b较短的位错才是稳定的，滑移方向一般是密排方向 应变能特点 2）E随R增大而增加，说明位错长程应力场的能量占主导作用，中心区能量小，可忽略 4）两点间直线最短，直线位错比曲线位错能量小，