CMOS图像传感器的技术演进与调整试.docVIP

CMOS图像传感器的技术演进与调试 王兴军（北京汉邦高科数字技术有限公司北京研发中心） 前言：金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器已被广泛用于手机、笔记本和膝上电脑、数码相机、视频游戏机、玩具、医疗设备、汽车、安全设备、工业设备 关键词：CMOS，CCD，高清网络摄像机 CMOS图像传感器的技术演进 CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor)起步于上世纪九十年代初，当时的CMOS图像传感器的图像感测效果差强人意，未能大规模应用。习惯上称此时的CMOS传感器为“被动式像素图像传感器架构”。九十年代中期，美国太空总署的喷射推进实验室提出了“主动式像素图像传感器架构”，使CMOS图像传感器才真正走上了大规模商用的道路。 与被动式像素架构不同，主动式架构采用的是：向每个图像感测像素中加入信号放大器以及相应的杂波控制电路，然后再逐行读取放大后的信号。这样一来，就避免了被动式像素架构在传递未经放大的原始信号过程中易受杂波干扰的问题，使得图像质量大幅增强。 目前CMOS图像传感器的发展方向主要集中在更高的灵敏度、更强的噪声抑制能力以及更小的尺寸这些方面。沿着这些方向，相应的技术也在不断的产生与发展： 背照射结构： 一般CMOS图像传感器进光投射方向为前照射结构，如图所示。由于入射光到达像素中的光电二极管之前要通过硅基板表面的金属导线和晶体管，部分光线被反射，阻碍了片上透镜的采光进程，灵敏度降低，SONY将前照射改为背照射(Back-illuminated structure),把金属线路和晶体管移至硅基板另一面，入射光通过微透镜、滤色片直接到达光电二极管，大大增加了进入每个像素的进光量，从而有效提高了传感器的灵敏度。目前在消费电子领域，一些国际大厂如索尼、佳能、尼康等均已开始采用背照射结构的CMOS传感器。 图1 前照射结构与背照射结构比较 片上降噪技术： 一般像素电路为三晶体管方式，虽然有用信号得到放大，但杂波也随之放大。Canon公司采用四晶体管方式，如图所示。由于固定模式噪音来自不同像素放大器之间的不均衡的信号增强，这也就是即使在一天中的不同时段拍摄不同主体的照片时，噪音可能出现在相同像素的原因。为消除此类噪音，佳能第二代片上降噪电路会读取固定模式噪音量，然后消除噪音以提供无噪音的光信号。??????????????? 图2 片上降噪技术 暗电流抑制技术： 暗电流是CMOS上由于微晶缺陷或漏电流产生的，在长时间、温度上升像素电荷积累，CMOS产生噪音。为此，Canon公司采用了“埋入式光电二极管”的构造来降低噪音发生的机率 制程技术的提升： 随着大规模集成电路的迅猛发展，CMOS的制程能力也在不断提升，从微米、亚微米到深亚微米，CMOS传感器的集成度越来越高。进入2011年，意法半导体和IBM宣布两家公司签署了一项技术合作协议，将合作开发32纳米和22纳米CMOS制程技术 CMOS图像传感器与CCD的技术对比 CMOS图像传感器相对于CCD传感器，从本质特性上分析，主要有以下几个优势： 图像信号读出率高，响应速度快。由于CMOS传感器的越来越高的SOC化，以及大规模集成电路制造工艺的提升，使得大部分信号处理电路能够集成在同一个芯片上，信号传输距离缩短，寄生参数、传输延迟均可大幅改善，因此CMOS传感器更容易实现高速率信号读出。目前CCD信号读出速率通常不超过70Mpixels/sCMOS可达1000Mpixels/s。 CCD需要很多驱动电压(-7.5V到15V)来驱动电荷转移CMOS传感器得益于大规模集成电路工艺只需一个电源(并多为低电压)驱动就行耗电量仅为CCD的1/8到1/10。 垂直拖尾是当拍摄高亮度发光物体时如照明灯、太阳画面上会出现一条垂直亮带。当光照产生的电信号超过了二极管(垂直存储器)的容量时二极管(垂直存储器)电荷会发生溢出从而产生了垂直拖尾现象。但由于CMOS特殊的成像结构这种现象不会在CMOS图像传感器上出现。 由于CMOS图像传感器采用大规模集成电路工艺所以很容易将其他功能芯片一起整合到CMOS芯片上。视频信号处理和静止图片信号处理包括了缺陷修正、去除FPN噪声、色彩差值，图像锐化差值、光圈修正、Gamma修正等一系列处理而这在CCD上是难以实现的。 但是，与CCD传感器相比，CMOS也有其固有的缺点，如灵敏度低、固定图形噪点大等问题。事实上，在高端应用领域，如单反照相机、机器视觉、车载摄像机、医用影像器材等领域，仍然是CCD传感器占有绝对优势，但随着技术的进步和集成电路制造工艺的提升，CMOS传感器在这些领域的应用将愈发广泛。 CMOS图像传感器在高清网络摄像机中的应用 业界动态 传统的模拟摄