JCP-200使用说明书.doc

JCP-200 磁控溅射/蒸发镀膜机 使用说明书 北京泰科诺科技有限公司 2008年6月 目录 1.设备简介　 2.设备技术参数及功能　 3.设备环境要求 4.设备安装 5.设备操作及注意事项　 6.设备保养及维护　 附图 JCP-ZZ-200B多功能磁控溅射镀膜机外形图 磁控靶结构示意图 基片台结构示意图 真空系统示意图 电器控制原理图 一.设备简介 JCP-200磁控溅射镀膜机以磁控溅射技术为主体（兼容蒸发镀膜技术）该设备由真空系统、镀膜室、磁控溅射靶、基片台（架）、真空系统、工作气体供给、电气控制等部分组成，主要应用于沉积金属膜、介质膜及半导体膜。 1.1.真空系统 该设备采用110L/S分子泵、2L/S机械泵、前级阀真空系统。 为了尽量减小“出气”量、降低真空压强，整个系统（包括所有法兰及管道）全部采用不锈钢材料。 真空测量采用数字式复合真空计，测量范围从大气至10-5Pa，具有自身保护测量规管的功能。 真空联锁保护采用断水保护磁控靶的措施。 1.2.镀膜室 镀膜室采用不锈钢柱状两层结构：上层安装旋转基片台，可手动打开，下层安装磁控溅射靶、进气装置，便于更换基片、靶材及日常维护；磁控靶装在下，基片台在上。该方式的优点在于：防止颗粒物对膜表面的侵害。在镀膜室的前面、侧面配有玻璃观察窗，观察其镀膜过程的状况，一旦出现非正常情况可采取应对措施。 1.3.磁控溅射靶 磁控溅射靶（简称磁控靶）是该设备的核心部件，它的性能决定了沉积薄膜的质量。按形状及用途不同可分为：圆形平面靶、矩形靶、柱状靶及S枪形靶。该设备采用圆形平面靶，靶材尺寸为Ф50×δ4mm（2”）……）相互碰撞形成正离子，正离子与处在负电位的阴极靶材相互作用溅射出靶材的中性粒子，这些中性粒子沉积于基片表面（阳极）形成薄膜。 带正电荷的粒子与靶材相互作用的过程中，不但能溅射出中性粒，同时还溅射出靶材正电荷离子及二次电子及软X射线等。由于靶材处于负电位，所以正离子不会远离靶材，但二次电子再次与工作气体相互作用、电离工作气体，直至正负电荷达到平衡状态，形成等离子体，即所谓的辉光放电。这种情况下，靶材表面功率密度大约在（5—10）瓦/cm2，过高的功率密度不可取；其一，靶材水冷带不走过高的热能，严重时致使靶材熔化。其二，辉光放电会过渡到弧光放电，弧光放电相对于辉光放电不太稳定，只有特殊场合才能应用，磁控靶就工作在辉光放电区。 表征磁控靶的性能主要为：磁场分布、靶材利用率、功率密度及对电源的要求。磁场分布是设计磁控靶的主因素，一般情况下总希望磁感应强度径向分量相对于垂直分量越大为好。通常情况下，靶材表面径向大约为300Gs至400Gs，太低的磁场不太容易起辉，太高的磁场会影响靶材利用率及膜的均匀性。该设备磁控靶起辉压强5×10-1Pa，靶材利用率约30%。 1.4.基片台 该设备基片台具有旋转、加热、偏压之功能。旋转目的是提高膜的均匀性，而加热则为了增强膜附着力。旋转速率从2～20转每分钟可调整。加热温度从室温至300℃可控制，用户可根据需要设置控制点，控制精度±2℃，使用时可先加热后镀膜，也可与镀膜过程同步进行。 注意：实际测量温度低于实际基片温度20% 300℃ 。 1.6.电气控制 电气控制包括：真空系统控制、真空测量、磁控靶电源、基片台旋转、加热控制、偏压控制、工作气体控制。所有控制都设计在同一操作面板上，每个开关（或旋钮）控制功能都有文字注明，如下所述： 真空系统控制：机械泵、分子泵、前级阀。 真空测量：真空室一高一低。 磁控靶电源：Ａ２Ｋ脉冲电源＞500W 基片台控制：旋转控制、加热控制、偏压控制。 工作气体控制：质量流量计控制。 二.设备技术参数及功能 2.1.极限真空：6.6×10-5Pa。 2.2.恢复抽真空时间：（从大气至7×10-3Pa）15分钟。 2.3.漏气率：5×10-8PaL/S。 2.4.真空室尺寸：φ220X300。 2.5.靶材尺寸φ50×4（2″）；靶功率密度：（5 - 15）W/cm2 2.6.基片台加热温度：Max 300℃。 2.7.基片台旋转：2～20r/min。 2.8.气体流量控制范围10 sccm，精度±0.1sccm。 2.9.断水保护靶电源。 三.设备环境要求 3.1.供电：AC 380V±5% 功率≥8千瓦。 3.2.独立地线： 3Ω。 3.3.供水：流量≥10L/min ，水温10℃—25℃。 3.4.室温： 30℃。 3.5.相对湿度： 75%。 3.6.室内无大的尘埃、无腐蚀性易燃、易爆气体。 3.7.室内无明显振动。 3.8.工作气体：高纯氩气99.99%。 四.设备安装 4.1.拆箱： 拆箱前确认机装箱是否损坏及上下方向，拆箱后仔细检查设备是否完好，若设备有严重损伤时进行拍照并作好记录，严重时由制