微流体系统电渗流热效应.docVIP

微流体系统电渗流热效应 晁侃，吴健康 华中科技大学，武汉光电国家实验室，武汉430074 摘要：本文采用硅和PDMS（聚二甲基硅氧烷）材料制作微流体电渗流芯片，采用数值方法求解双电层的Poisson—Boltzmann方程，液体运动的Navier-Stokes方程和液－固耦合系统的热传导方程，研究二维微通道电渗流的焦耳热效应。计算结果表明，芯片进口液体温度对热稳态后的温度场没有影响，并且也不会影响从进口到温度稳定状态的热发展长度。电渗流热效应对外电场强度有着强烈的依赖性，电场强度越大，流体温度越高，热发展长度越长。芯片固体基片厚度对流体温度场有很重要的影响，基片越厚，流体温度越高，热发展段长度增加，热效应越明显。 关键词：微流体系统，微通道，电渗流，焦耳热效应 芯片实验室（Lab-on-a-chip）和电荷密度满足以下Poisson—Boltzmann方程： ， （1） 图1 二维电渗流芯片简图 这里，是液体介电常数，为真空介电常数，为溶液离子浓度，为电子基本电荷，为溶液离子价，为Boltzmann常数，为绝对温度。电位势在双电层的滑移面（与固壁有几个分子的距离，可以用近似表示） 等于zeta电位。 分别表示硅和PDMS与液体交界面的zeta电位势，即： ：， ： （2） 进出口为充分发展的双电层条件。二维不可压缩流体连续方程Navier-Stokes方程表示如下： ， （3） 式中，是液体密度，为速度矢量，是压强，是动力粘性系数，是电荷密度，为外加电场强度，表示电场力。通道固壁速度为零，进出口为充分发展的流动条件。二维定常电渗流热传导方程： （4） 式中为流体比热，为流体热传导率常数，为流体电导率常数， 表示电渗流焦耳热生成率。通道进口流体温度给定 。不考虑固体中热对流和热源，固体区域的热传导方程为： 硅基片 （5） PDMS基片 （6） 这里，，分别为硅和PDMS的热传导率。固体基表面温度为环境温度 。流体和固体界面的温度、热通量自动满足连续条件。本文的计算中暂不考虑温度对介质物理性质的影响。 2.典型算例 为了真实反映整体芯片的电渗流热效应，本文建立的模型区域由三部分组成，如图1所示，上基片为硅，下基片为PDMS材料，它们与液体交界面的电位势分别为 ，。基片环境温度。中间微流体通道长度，高度，，上下基片的厚度为。为了更好反映整个芯片的温度场发展过程特征，微流道的长宽比应该满足。微通道流体为溶液，溶液浓度 ，芯片材料属性见表（1）。 表1 芯片材料属性 材料属性 溶液 硅 PDMS 密度 （） 1.00 2.15 1.42 比热 4.18 1.00 1.10 热传导率 0.61 1.38 0.15 电导率 （） 12.64 绝缘 绝缘 动力粘性系数 0.000866 介电常数 78.5 3. 计算结果 采用CFD软件FLUENT求解上述耦合方程。图2给出了电场强度＝400 ，基片厚度时，微流道不同截面的温度分布图。图中 ＝为PDMS壁面，为硅壁面。由图2（a）中可以看出，当流体进口温度 大于基片环境温度时, 微流道流体入口开始，流体温度开始迅速升高，当之后的微流道内液体温度达到热稳定状态，固体壁面的散热流量和电渗流焦耳热生成量平衡。由于PDMS材料的热传导率远小于硅的热传导率，所以图2（a）中PDMS壁面温度明显高于硅壁面的温度。由图2（b），（c）可以看出：不管进口流体温度高低，流体均在相同截面附近达到热稳定状态。此后，流体温度的通道剖面图是一致的。流体进口温度不影响电渗流热稳态的温度场。 图3为不同进口温度时的微流道硅壁面的热通量变化图。当进口液体温度大于或等于环境温度时，微流道液体向外散热。而当进口温度为小于环境温度时，微流道液体从外界吸热。无论进口流体温度大小，在热稳态区域后，流体都向固壁散热，散热流量等于电渗流的发热量，即达到热平衡稳定状态。 图4为电场强度，基片厚度时，微流道截面的温度分布图。这时流体的温度从进口向下游下降，这与的情况不同，如图2（a）所示，那里