《数字电子技术教学资料》数电(第三版)周良权习题解答第8章.docVIP

《数字电子技术教学资料》数电(第三版)周良权习题解答第8章.doc

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第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8.1 字线数和位线数 8.2 二 读取 改写 丢失 8.3 读取和改写 丢失 8.4 b 8.5 c e 8.6 a 8.7 (×) 8.8 (√) 8.9 () 8.11 存储容量为512×8位的RAM,即29×8,故地址输入线为9根,字线为29 512根,位线为D7~D0为8根. 8.12 掩膜ROM,由生产厂制造设置存储内容.用户只能读取,不能写入; PROM:由用户单位自己写入存储内容,不能写二次,工作时只能读取而不能改写信息; EPROM:由用户单位自己写入内容,并可多次改写,但在工作时只能读取.不能改写内容, 以上均称ROM,当电源断电后,其存储内容不会丢失. 静态RAM:在工作时随时可以按地址读取内容.但当电源断电,其原存储内容全部丢失,使用时需重新输入内容. 8.14 2114静态RAM的存储容量为1k×4位,要构成4k×8位的存储容量,需2114静态RAM芯片8片组成. 因1k字线扩大为4k字线,故地址线增加2根,即为A11、A10地址,需用字扩展;输出位线4位扩展为8位,每组两片并联,其电路图如图题解8.4所示 所增加二根地址线A11A10通过译码器去控制,当A11A10为00时,则 1 、 2 号芯片 0可工作,而此时 3 ~ 8 芯片 1,禁止工作,当A11A10为01时, 3 、 4 号芯片为0可工作,其余片号的 1禁止工作.当A11A10为10时, 5 、 6 号芯片为0可工作,其余片号的 1禁止工作,当A11A10为11时, 7 、 8 号芯片为0可工作,其余片号的 1禁止工作.每两片为一组构成D7~D0?8位数码输出,所有芯片A9~A0地址线共用,A11、A10通过两个反相器和4个与非门构成高二位地址线2—4线译码器,输出低电平有效,控制各组的. 8.14 先将各函数式化成最小项表达式 图题解8.4 用CD4514型4线—16线译码器和16×4位的PROM存储矩阵实现上述逻辑函数的点阵图如图题解8.14所示,4514为4线—16线译码器,当 0译码器可工作, 1禁止工作,即低电平有效,LE为锁存,当LE 1,输出锁存不再变化, 图题解8.14 8.15 可编程逻辑阵列器件TIFPLA839的输入有14个端子I0~I13.利用数字钟的计数器触发器的输出端与地址输入I0~I13相连.数字钟中计数器十位小时为Q1Q0,个位小时为Q3Q2Q1Q0;十位分为Q3Q2Q1Q0;个位分Q3Q2Q1Q0.计数器输出均为二—十进制的BCD码,这样上述共有14个触发器输出端,可与地址线I13~ I0对应输入.其要求打铃时刻和地址编码关系可用下表表示 打铃 时刻 地 址 编 码 十位小时 个位小时 十位分 个位分 Q1 Q0 Q3 Q2 Q1 Q0 Q3 Q2 Q1 Q0 Q3 Q2 Q1 Q0 7:50 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 7:55 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 8:00 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 9:50 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 10:05 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 10:10 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 12:00 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 14:05 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 14:10 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 16:00 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 18:30 0 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 22:00 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 地址分配 I13 I12 I11 I10 I9 I8 I7 I6 I5 I4 I3 I2 I1 I0 根据上表逻辑状态,可在TIFPLA839的器件上在I13~I0输入端按表内所示分别与各触发器Q端相连,其电路图如图题解8.15所示,并按各打铃时间设置编程接通点“×”,若表内状态为0,则在互补输入缓冲器非端连线上设置“×”,若为1,则在原码连线上设置“×”,如7:50时间,从I13到I0的互补输入线上设置编程接通点为由高位I13到低位I0分别为 为表中第一行状态,其他各行方法相同,再通过或矩阵从O0端输出,编程接通点如图中所示,例如达到7:50时,O0出1.可保持1分钟,但打铃仅为5秒钟.电路可采用555定时器组成单稳态触发器输出定时取5秒高电平,再去控制555定时器组成多谐振荡器的复位端4脚为1,振荡器

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