《微电子学导论教学资料》03-第三章-微电子技术的器件初步.pptVIP

本课程教学内容 第一章：绪论 第二章：微电子技术的物理基础 第三章：微电子技术的器件初步 第四章：器件制备技术初步 第五章：集成电路设计 第六章：微电子技术动态与展望 第三章 微电子技术的器件基础 双极型晶体管 场效应晶体管 集成电路 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material with at least three terminals for connection to an external circuit. A voltage or current applied to one pair of the transistors terminals changes the current flowing through another pair of terminals. Because the controlled (output) power can be higher than the controlling (input) power, a transistor can amplify a signal. Today, some transistors are packaged individually, but many more are found embedded in integrated circuits. The transistor is the fundamental building block of modern electronic devices, and is ubiquitous in modern electronic systems. Following its development in the early 1950s the transistor revolutionized the field of electronics, and paved the way for smaller and cheaper radios, calculators, and computers, among other things. From_/wiki/Transistor 晶体管（Transistor） 引言 From_/wiki/Transistor 晶体管（Transistor） 功能：信号放大 开关（信号通断、电功率） 组成：由半导体材料组成的三端器件 种类：双极型晶体管、 单极型晶体管 （场效应晶体管） The Bipolar Junction Transistor: BJT 一.双极型晶体管 定义和分类 npn型 pnp型 定义: 由两个相距很近的PN结反向连接而组成的器件 三端结构：发射极、基极、集电极 区域划分：发射区、基区、集电区 结构特点：发射区重掺杂、基区很薄 结构及特点: 分类: 共发射极 共基极 集电极 三种连接方式（以pnp为例） 平衡态下的能带图 PNP型晶体管工作原理 Eeb Ebc 平衡态下 PNP型晶体管工作原理 共基极连接方式的偏置状态： EB结处于正向偏置 CB结处于反向偏置 PNP型晶体管工作原理 晶体管处于放大状态下的能带图 具有放大功能的原因？ 放大及开关功能 二. 场效应晶体管 Drain 源 Source 漏 栅 Gate 栅 源 漏 Field Effect Transistor （FET） 各种接触对半导体电导的调控作用 PN结 肖特基结 MOS结构 FET 场效应晶体管的分类 JFET(结型) 肖特基栅FET MOSFET( IGFET) 绝缘栅 同质半导体 异质半导体 HFET （HEMT） nMOS pMOS MESFET 结型场效应晶体管（JFET） 金属半导体场效应晶体管 （MESFET） 高电子迁移率晶体管（HEMT） 异质结构场效应晶体管（HFET） 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET----分类 n沟道 p沟道 增强型 （常关型） 耗尽强型（常开型） 增强型 （常关型） 耗尽强型（常开型） 根据沟道导电类型的不同：nMOS和pMOS 根据零偏压下沟道的存在与否：常关型、常关型 以p型半导体为例 VA 0 当施加正偏压时 - Qs +Qs 状态Ⅲ 载流子反型 增强型n沟道MOSFET 耗尽型n沟道MOSFET n - type substrate p