IGBT指南程序.docVIP

介绍： 因为IGBT具有简单的门极驱动和较低的导通损耗，所以在大电流和大电压的应用场合中它迅速取代了双极性功率晶体管。而且它在开关速度，导通损耗和耐用上的良好的折衷使得它在高频和高效领域中能逐步替代MOSFET的位置。实际上，除了十分低电流的应用，工业生产的趋势是用IGBT取代功率MOSFET。为了帮助理解折中和帮助电路设计人员更好的选取和应用IGBT，这个应用文件提供了一个简单的IGBT技术的介绍和APT IGBT的数据表。 怎样选择IGBT 这个部分被技术之前。 棘手的问题的答案将帮助确定IGBT 适合于特别的应用。 在和之间的不同过会儿条件和图解释。前两数给一个可用的电流的。 这个式子简要的说明了可以消耗的最大热量，，等于由导通损耗产生的最大允许的热量。这里不包含开关损耗。 当然VCE（on）取决于IC（还有结温）除了相对较低的电流，VCE（on）和IC的关系是近似线性的，如图5。 图5VCE（on）和IC的近似线性关系 VCE（on）的曲线是在高温下做出的曲线，VCE（on）的弯曲部分是处于温度上升阶段。（为了计算数据表中的数值，考虑到不同器件之间的差异，APT使用了最大的VCE（on），它比典型值要高） VCE（on）和IC的关系如下： 把它代入（2）式得： 解得： 式（5）中IC是指使管芯加热到在最大结温时的连续直流电流。IC1是TC为25度时的