现代电力电子技术4Snubber.pptVIP

* 第四章 开关过程与缓冲技术 §4-2 有损缓冲电路 电感电流断续的缓冲电路 §4-3 无损缓冲电路 电感电流连续的缓冲电路 §4-1 开关损耗与器件应力 关断缓冲电路 开通缓冲电路 §4-1 开关损耗与器件应力 总损耗P = 导通损耗Pon + 阻断损耗Poff + 开关损耗 Ps （ Ps=40~80%P) 延迟时间— Is小， 可略 上升时间 存储时间— Us小，可略 下降时间 Ps 上升时间tup 下降时间tdo 一般 80% 每周期损耗 开关功率损耗 开关轨迹 电阻负载 容性负载 开通过程 感性负载 关断过程 安全 ON ：限制di/dt —开通/串联缓冲； OFF：限制du/dt —关断/并联缓冲； 降低（转移）S损耗，改变开关轨迹。 缓冲电路 （Snubber Circuit） 有损缓冲电路 无损缓冲电路 部分开关损耗转移到缓冲电路（总值不变） 电流、电压、热 应力 Stress §4-2 有损缓冲电路 （感性负载含有L滤波） 1 iL断续时的缓冲电路 τ= L/RTs 大 → 二次击穿 小 → 不击穿 Em（LIcs2/2）消耗于T、R 峰值 加续流管 tRR 允许短路时间 但关断损耗仍然较大 加电容 （仅为修正关断轨迹） 开通过程恶化！ 综合利用D与C的作用 → 同时修正开关轨迹？ RCD 缓冲电路 ★ 参数计算： △ 关断时，为RLC二阶响应 根据临界阻尼条件： △ 导通时，应保证在最短导通 时间内Cs充电至Ucc 2 iL连续时的缓冲电路（Buck为例） 无缓冲工作波形 开、关过程损耗均大！ RCD关断缓冲电路 ① 临界电容Cs缓冲 经 tDO Cs大， uCE↑ Ui Cs小， uCE↑ Ui →D导通 L≈恒流源，关断初，D阻断， 经存储 时间 iC↓→iDS↑，Cs充电， 限制du/dt。 设： iC线性下降 设：导通时Cs能量全耗于Rs RCD关断缓冲电路 ② 大电容缓冲 由 RCD关断缓冲电路 ③ 小电容缓冲 ★ 关断损耗α1时最小 最小值应在α 1 的抛物线上 讨论 ★ 开关损耗α=2/3时最小 ★ 电容参数 在最小导通时间内Cs电荷应放尽 RCD关断缓冲电路的另一种接法 参数选取 ★ 电阻参数 频率越高，电阻越小，开通附加电流越大。 电阻值与损耗无关。 RLD开通缓冲电路 L≈恒流源，开通初，D导通/恢复， 经上升时间 tUP： uCE由Ui ↓→0 uL 由0↑ → Ui 限制di/dt 经 tUP Ls大， iC↑ IL →D导通， tUP tFU ，α1 Ls小， iC↑ IL →D阻断， tUP tFU ，α1 设： uCE线性下降 RLD开通缓冲电路 临界电感缓冲 由 对偶原理： 开通 关断 并联 串联 电压 电流 电容 电感 上升 下降 … … ★ 开关损耗α=2/3时最小 在最小关断时间内Ls电流应回零 电阻值与损耗无关；频率越高，电阻越大，关断附加电压越大。 复合缓冲电路 * * * * *