薄膜物理第2章溅射镀膜技巧.pptVIP

* 问题： 对于直流溅射来说，如果靶材不是良导体材料，而是绝 缘材料，正离子轰击靶面时靶就会带正电，使其电位上 升，离子加速电场就要逐渐变小，使离子溅射靶材不可 能，以至辉光放电和溅射停止。 机理： 可溅射绝缘体。 高频范围：5~30MHz（一般Rf＝13.56MHz ） 射频电势加在位于绝缘靶下面的金属电极上。在射频电势作用下，在交变电场中振荡的电子具有足够高的能量产生离化碰撞，放电达到自持。 如果在靶上施加的是射频电压，当溅射靶处于上半周期时，由于电子的质量比离子的质量小得多，故其迁移率很高仅用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，并且在靶面又迅速积累大量的电子，使其表面因空间电荷呈现负电位，导致在射频电压的正半周期时也吸引离子轰击靶材。从而实现了在正、负半周期均可产生溅射。 5．磁控溅射 –低温高速溅射 溅射沉积方法缺点：沉积速度低、工作气压较高引起污染。 磁控溅射：提高沉积速率，降低工作气体压力。 磁控溅射中引入了正交电磁场，使离化率提高了5～6%，于是溅射速率可比三极溅射提高10倍左右。对许多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。 以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时，受正交电磁场束缚的电子，又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。这就是磁控溅射具有“低温”、“高速”两大特点的道理。 磁控溅射的工作原理 二次电子一旦离开靶面，就同时受到电场和磁场的作用。近似认为，二次电子在阴极暗区只受电场作用，一旦进入辉光区就只受磁场作用。 （1）阴极暗区： 受电场力—直线运动。 （2）辉光区： 受磁场力—旋转。 （3）半周后—进入阴极暗区，减速，到靶面时，降为0. 往复运动。 6．对向靶溅射 对于Fe、Co、Ni、Fe2O3、坡莫合金等磁性材料，要实现低温、高速溅射镀膜，有特殊的要求。采用前述几种磁控方式都受到很大的限制。 (由于靶的磁阻很低，磁场几乎完全从靶中通过，不可能形成平行于靶表面的使二次电子作圆摆线运动的强磁场 。若采用三极溅射和射频溅射时，基板温升非常严重。) 而采用对向靶溅射法，即使用强磁性靶能实现低温高速溅射镀膜。 优点： 溅射速率高，基板温度低， 可淀积磁性薄膜等。 两个靶相对放置，所加磁场和靶表面垂直。阳极放置在于靶面垂直部位，和电场一起起到约束等离子体作用。二次电子飞出靶面后，被垂直靶的阴极电位下降区的电场加速。电子在向阳极运动过程中受到磁场作用。由于在两靶上加有较高的负偏压，部分电子几乎沿着直线运动，到对面靶的阴极电位下降区被减速，然后又被向相反方向加速运动，加上磁场作用，这样由靶产生的二次电子就被有效封闭在两个靶材之前，形成柱状等离子体。电子被两个电极来回反射，大大加长了电子运动的路程，增加了和氩气的碰撞电离概率，从而大大提高了两个靶之前气体的电离化程度，增加了氩离子密度，因而提高了沉积速率。二次电子被磁场约束外，还受到很强的静电反射作用，等离子体被紧紧约束在两个靶之间，避免了高能电子对基片的轰击，使基片温度不会升高。 原理： 靶 靶 基片 7．反应溅射? 　利用溅射技术制备介质薄膜除可采用射频溅射法外，另一种方法是采用反应溅射法。即在溅射镀膜时，引入某些活性反应气体，来改变或控制淀积特性。可获得不同靶材的新物质薄膜。 例如在O2中溅射反应而获得氧化物，在N2或NH3中获得氮化物，在O2＋N2混合气体中得到氮氧化合物，在C2H2或CH4中得到碳化物，在硅烷中得到硅化物和在HF或CF4中得到氟化物等。 　 8．离子束溅射 离子束系由惰性气体或反应气体的离子组成，离子的能量较高，它们打到由需要沉积的材料组成的靶上，引起靶原子溅射，再沉积到基片上形成薄膜。因此，又称离子束溅射。 第二章 薄膜制备的物理方法（ Ⅱ ）2.3 溅射镀膜 宋春元 博士 材料科学与工程学院 薄膜材料与技术 2.3 .1 概述 2.3.2 辉光放电 2.3.3 表征溅射特征的基本参数 2.3.4 主要溅射镀膜方式 第二章 薄膜物理的制备方法（Ⅱ） 2.3 溅射镀膜 溅射法 利用带电离子在电磁场的作用下获得足够的能量，轰击固体（靶）物质，从靶材表面被溅射出来的原子以一定的动能射向衬底，在衬底上形成薄膜。 溅射出的粒子大多呈原子状态，常称为溅射原子。用于轰击靶的荷能粒子可以是电子、离子或中性粒子， 因离子在电场下易于加速并获得所需动能，故大多采用离子作为轰击粒子。该离子又