光dianzi 学-第三章.pptVIP

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  • 2017-03-21 发布于浙江
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光dianzi 学-第三章

 半导体发光器件 半导体光电子器件——LD 阈值电流 泵浦机制 : 正向偏压 阈值电流 Ith: Gth dl a光增益阈值 aIth 半导体光电子器件——LD 降低阈值电流 Ith的方法: 1 限制载流子 2 限制光子 降低阈值电流的结构:双异质结 double heterostructure 半导体光电子器件——LD LD的激光模式与光束发散角 激光模式依赖于介质的增益曲线和谐振腔的特性 谐振腔长度L 决定纵模分布,横截面W H决定横模分布 减小横截面 W H ??a基横模TEM00 输出 光束发散角: 半导体光电子器件——LD LD的光谱特性 光谱主频率由介质能级结构决定 LD的光谱特点: 低注入电流 a多模输出 高注入电流 a单模输出 P0 ↑a Tj ↑aEg↓aλ0↑ 半导体光电子器件——LD 分布布拉格反射型--Distributed Bragg Reflector Laser Diode 单模输出 :Dl 0.1 nm 选模原理 a反射光栅 半导体光电子器件——LD 分布布拉格反馈型--Distributed Feedback Laser Diode 选模原理:利用周期结构的布拉格反射建立腔内光反馈 输出频率由波纹结构的周期决定 反向传输的行波相互耦合成驻波,实现了无反射面的光反馈 半导体光电子器件——LD LD的复合腔选模 复合腔

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