LED_Chip_FQC检验规范.docVIP

1. 目的 1.1 制订LED CHIP FQC检验规范。 1.2 订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。 2. 范围 本公司生产之所有LED产品均属之。 3. 内容 3.1 检验测试项目 3.1.1 光电性检验 3.1.2 外观检验 数值标示检验。 3.2 抽样计划（片数定义：芯片片数） 3.2.1 依「产品检验抽样计划」 WI-20-0101 抽片执行检验。 3.2.2 光电特性检验（VFH、VFL、IV） （1）抽样位置：分页片边缘4颗，分页片内围6颗，均匀取样。 （2）抽样数量：每片10颗。 （3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。 3.2.3 外观检验 （1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一个缺点。 （2）NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离＜6.5 cm者，不良晶粒＞ 5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一个缺点。 （3）缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作，作为人员检验之依据。 3.3 缺点等级代字 3.3.1 主要缺点代字：MA（Major）。 3.3.2 次要缺点代字：MI（Minor）。 3.4 参考文件 3.4.1 本公司产品目录规格书 3.4.2 研发工程产品测试分类规格 3.4.3 其它相关之质量文件 4. 光电特性检验 4.1 顺向电压VFH 4.1.1 依特定之额定电流点测，须低于规格上限。 4.1.2 规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站 作业指导书。 4.1.3 缺点等级：MA 4.2 顺向电压VFL 4.2.1 依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。 4.2.2 规格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，AlGaAs 1.25≦VFL≦1.5V ，IR 0.70~1.0 V 。 4.2.3 缺点等级：MI 4.3 亮度Iv / Po 4.3.1 依特定之额定电流点测，须高于规格下限。 规格下限应参考测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判定。 缺点等级：MA 5. 外观检验﹙共同标准﹚ 检验项目 说 明 图 示 缺点等级 5.1 晶粒厚度 5.1.1 同一芯片晶粒厚度差≦2 mil 5.1.2 UR同一芯片晶粒厚度差≦3 mil MA 5.2 正面电极 5.2.1 电极中心点1/3半径范围内，不得有任何异常 不含刮伤 电极 R/3 MA 5.2.2 电极破损、铝泡（金泡）、非化学药水污染 沾胶 、杂物、硅胶粒、Ink… 、重工造成之金属残印子 如残钛 面积应≦1/5原电极面积。 MA 5.2.3 电极刮伤自动用PS应≦1/5原电极面积 材质：AlGaInP适用 MA 5.2.4 电极扩大缩小：0.9倍＜原订值φ＜1.1倍 MA 5.2.5 二道偏移应≦1.1倍 MI 5.2.6 电极偏移 a/b≦2/1 MA 5.2.7 电极不得有铝黄、 药水污染 MA 5.2.8 自动用PS电极不得有粗糙程度不一致影响机器辨视 MA 5.2.9 长脚电极断裂应≦1只脚面积 Power Chip 524,540相关产品 Pad不可形成掉脚 MA 5.2.10 长脚电极缩小宽度 B 应≦1/2原宽度 A A B MA 5.3 正面晶粒 5.3.1 晶粒污染、沾胶、药水残需≦1/5 发光区面积 MA 5.3.2 全切晶粒未切穿者不作PS （半切晶粒及手动用NS之未切穿面积应≦1/5 原晶粒面积） MA 5.3.3 晶粒切割内斜需≦1/10 原晶粒面积 MA 5.3.4 晶粒不得为长方形 |b/a|≧90% b a MA 检验项目 说 明 图 示 缺点等级 5.3 正面晶粒 5.3.5 电极周围未粗化到的月眉形区域，最宽处须 ≦1 mil MA 5.3.6 发光区伤到面积 ?自动用 PS 应≦1/5发光区面积 ?手动用 NS A/B≦2/1 A B MA 5.3.7 发光区金属残余应≦1/5电极面积 MA 5.3.8 发光区刮伤应≦1/5原发光面积且刮伤宽度应 ≦10μm / line MA 5.3.9 SR, DR, UR氧化层膜脱落面积 ?一般规格 NX、NL、PX 应≦1/2原发光区面积 均匀性规格及自动用 PS 应≦1/5原发光区面积 PD、ND、PM MA 5.3.10 脱离电极之铝 金 线长度应 1/2电极长度 MA 5.3.11正崩 ?正面损伤、暗伤面积应≦1/5单边长界限内 ?均匀性产品不得有暗伤 MA 5.4 背面电极 背面电极总