第四章场效应管放大电路1介绍.ppt

1）UGS对导电沟道的影响 当UGS＝０时，PN结均零偏置，阻挡层最薄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 当|UGS|值增大时，栅源之间反偏电压增大，PN结的阻挡层增宽。导致导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ? 当|UGS|值增大到使两侧耗尽层相遇时，导电沟道全部夹断，沟道电阻趋于无穷大。 对应的栅源电压UGS称为场效应管的夹断电压Up。 2）UDS对导电沟道的影响 设栅源电压UGS=0, 当UDS=0时，ID=0，沟道均匀 当UDS增加时，ID增加，沿着沟道产生电压降，使沟道各点电位不再相等，沟道不再均匀。 靠近源极端的耗尽层最窄，沟道最宽;靠近漏极端的电位最高，且与栅极电位差最大，因而耗尽层最宽，沟道最窄。 UDS的主要作用是形成漏极电流ID。 3）UDS和UGS对沟道电阻和漏极电流的影响 设在漏源间加有电压UDS， 当UGS变化时，沟道中ID将随沟道电阻的变化而变化。 当UGS=0时，沟道电阻最小，电流ID最大。 当|UGS|值增大时，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，电流ID减小，直至沟道被耗尽层夹断，ID=0。 当0UGSUp时，沟道电流ID在零和最大值之间变化。 场效应管和普通三极管一样，可以看作是受控的电流源，但它是一种电压控制的电流源。 作业 课后习题：1、2、3 * 第四章 场效应管放大电路 第四章 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路 三极管的主要特点： 1. 电流控制型器件。 2. 输入端有输入电流，输入电阻小。 3. 两种极性的载流子都参与导电，又称为双极性晶体管，简称BJT（Bipolar Junction Transistor)。 场效应管：简称FET(Field Effect Transistor ) (b) 输入电阻高，可达107 ~1015W。 (c) 起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极型晶体管。 (d) 体积小、重量轻、耗电省、寿命长。 (e) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单。 (f) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。 (a) 电压控制型器件。 主要特点： 结型场效应管，简称JFET (Junction Field Effect Transistor) 按结构可分为： 场效应管的类型： 2. 绝缘栅型场效应管，简称IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistor) 或称MOS管 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 结型场效应管分 4.1 结型场效应管 一、结构 N P+ P+ 形成SiO2保护层 以N型半导体作衬底 上下各引出一个电极 左右各引出一个电极 两边个引出一个电极 两边个引出一个电极 两边扩散两个高浓度的P型区 漏极D（drine) 源极S（source) 栅极G（gate) N P+ P+ N型导电沟道 符号 称为N沟道JFET 符号 P沟道JFET结构示意图 P N+ N+ P型导电沟道 S G D 二、工作原理 G D S 电路图 1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 a．当uGS=0时 N P+ P+ N型导电沟道 S G D =0 没工作，沟道无变化 b．UpuGS0 N P+ P+ N型导电沟道 S G D =0 P+ – + (a) PN结加宽 (b) PN结主要向N区扩展 (c) 导电沟道变窄 (d) 导电沟道电阻增大 N P+ P+ N型导电沟道 S G D =0 P+ P+ (a) PN结合拢 (b) 导电沟道夹断 c． 0 uGS=Up Up—— 栅源截止电压或夹断电压 – + 当uDS=0时，uGS对沟道的控制作用动画演示 2．当uGS =0时，uDS对沟道的控制作用 N P+ P+ N型导电沟道 S