华侨大学数电第三章-1讲解.pptVIP

* 3 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门电路 *3.3 射极耦合逻辑门电路 *3.4 砷化镓逻辑门电路 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 * 3.7 用VerilogHDL描述逻辑门电路 教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 3. 逻辑门电路 3.1 MOS逻辑门 3.1.1 数字集成电路简介 3.1.2 逻辑门的一般特性 3.1.3 MOS开关及其等效电路 3.1.4 CMOS反相器 3.1.5 CMOS逻辑门电路 3.1.6 CMOS漏极开路门和三态输出门电路 3.1.7 CMOS传输门 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 3.1.1 数字集成电路简介 1.CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HCT 74VHC 74VHCT 速度慢 与TTL不兼容 抗干扰 功耗低 74LVC 74VAUC 速度加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 速度两倍于74HC 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 低 超低 电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰功耗低 74系列 74LS系列 74AS系列 74ALS 2.TTL 集成电路: 广泛应用于中大规模集成电路 3.1.1 数字集成电路简介 3.1.2 逻辑门电路的一般特性 1. 输入和输出的高、低电平 v O v I 驱动门 G 1 负载门 G 2 1 1 输出高电平的下限值 VOH min 输入低电平的上限值 VIL max 输入高电平的下限值 VIL min 输出低电平的上限值 VOH max 输出 高电平 + V DD V OH min V OL max 0 G 1 门 v O 范围 v O 输出 低电平 输入 高电平 V IH min V IL max + V DD 0 G 2 门 v I 范围 输入 低电平 v I VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。 负载门输入高电平时的噪声容限： VNL —当前级门输出低电平的最大 值时允许正向噪声电压的最大值 负载门输入低电平时的噪声容限： 2. 噪声容限 VNH VOH min －VIH min VNL VIL max －VOL max 在保证输出电平不变的条件下，输入电平允许波动的范围。它表示门电路的抗干扰能力 1 驱动门 v o 1 负载门 v I 噪声 0.9 2.1 8 7 tPLH或tPHL ns 74AUC VDD 1.8V 74LVC VDD 3.3V 74HCT VDD 5V 74HC VDD 5V 类型 参数 3.传输延迟时间 传输延迟时间是表征门电路开关速度 的参数，它说明门电路在输入脉冲波 形的作用下，其输出波形相对于输入 波形延迟了多长的时间。 CMOS电路传输延迟时间 t PHL 输出 50% 90% 50% 10% t PLH t f t r 输入 50% 50% 10% 90% 4. 功耗 静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。 5. 延时?功耗积 是速度功耗综合性的指标.延时?功耗积，用符号DP表示 扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数。 6. 扇入与扇出数 动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗， 对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。 CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路有动态功耗 扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 （a 带拉电流负载 当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起输出高电压的降低。但不得低于输出高电平的下限值，这就限制了负载门的个数。 高电平扇出数: IOH :驱动门的输出端为高电平电流 IIH :负载门的输入电流为。 b 带灌电流负载 当负载门的个数增加时，总的灌电流IOL将增加，同时也将引起输出低电压VOL的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值。 IO