《光电材料与器件教学课件》第五章.pptVIP

第五章 光伏效应及器件 光伏探测器的基本部分是一个P-N结 第一节 光生伏特效应 1．半导体P-N结的形成和特性 载流子扩散在接触区附近留下了正离子（N区）和负离子（P区） 组成了偶极层，产生了内建电场 远离交界面的区域则仍然保持电中性。 流过P-N结的电流密度为 反向饱和电流 其中： 考虑到： P-N结的零偏电阻 又称为增量电阻 为 光子激发所产生的电子-空穴对被结电场分离 空穴流入P型层 电子流入N型层 2. P-N结的光生伏特效应 P-N结上产生正向偏压V 在PN结中形成光电流 流过P-N结的总电流为 流过P-N结的总电流为 短路条件下 短路光电流 开路情况下 开路电压 弱光照射情况下 波长比材料截止波长短的辐射被光电二极管吸收后将产生电子-空穴对 如果吸收发生在空间电荷区 结区 ，电子和空穴立刻被强电场分开并在外电路中产生光电流 如果吸收发生在P区或N区到结的扩散长度区域内，则光生电子-空穴对必定首先扩散到空间电荷区，然后在那里被电场分开，并对外电路贡献光电流 如果光电二极管是开路，则在P-N结两端出现开路电压，即产生光生伏特效应 如果在P端和N端间连接一很低的电阻，则光电二极管被短路且有短路电流流动 光生伏特效应的总结 3. P-N结的饱和光电流 假定光生电子-空穴对在PN结的结区，即耗尽区内产生 则饱和光电流为： 进入耗尽区的光子数 耗尽区内dx距离内吸收的光子数 耗尽区内dx距离内产生的电子-空穴对数目 一个光生电子-空穴对所贡献的总电荷量 器件的内增益 x 考察：X处产生的电子空穴对外电路贡献的电荷量 故：一个电子-空穴对所贡献的总电荷量为 光伏探测器的内增益等于1 所以： 电流响应率 要提高光伏探测器的响应度 1. 提高光生电流，即量子产额 2. 降低反向饱和电流，即提高增量电阻。 4. P-N结光伏器件的响应率 量子产额 考虑到 P-N结光伏器件中影响量子产额和增量电阻的主要因素 1. 入射辐射平行于结平面照射 结论：减小反向饱和电流提高增量电阻的措施 ①在温度不太低时， 可通过制冷降低探测器 的温度，使 降低，进而降低Ｊｓ ② 适当重掺杂，即增加ＮＡ或ＮＤ来降低ＪＳ ③　减小P-N结的结面积 ④　提高载流子的扩散长度 量子产额 要提高量子产额的途径 ①在 的条件下，缩短探测器的长度； ②减小反射损失； ③提高载流子的扩散长度 2. 入射辐射垂直于结平面照射 表面复合的速率 减小反射损失 减小受光照一侧材料的厚度 减小表面复合系数 增大L 减小无信号时载流子浓度 减小器件几何尺寸 第二节：PN结光伏探测器件的工作模式 第一象限是正偏压状态，iD本来就很大，所以光电流不起主要作用，在这一区域工作没有意义。 第三象限是反偏压状态，这时，它是普通二极管中的反向饱和电流，现在称为暗电流（对应于光功率P 0），数值很小。 光电流（等于i－is）是通过探测器的主要电流。 外回路特性与光电导探测器十分相似，所以反偏压下的工作方式称为光导模式，相应的探测器称为光电二极管。 在第四象限中，外偏压为零时，流过探测器的电流仍为光电流，这时探测器的输出是通过负载电阻RL上的电压或流过RL上的电流来体现的，因此称为光伏工作模式。相应的探测器称为光电池。 P-N结光伏探测器的 电路符号 a 及等效电路 b c 光伏； d 光导 第三节 P-N结光伏器件的响应时间 影响光伏探测器时间响应特性的三个因素 光生载流子在准中性N或P区扩散到耗尽区所需的时间 产生在耗尽区外边的光生载流子扩散到结区需要较长的时间，故结应尽可能紧靠器件表面，即要求浅结 光生载流子漂移通过耗尽区所需要的时间 结应尽可能薄 与负载电阻RL并联的结电容Cj所决定的电路时间常数，即耗尽区的电容，也即结电容 结越薄，结电容越大，与要求耗尽区电容小相矛盾，需要根据具体情况进行折中的选择。 当d减小时，C会增大，二者矛盾 光伏探测器受光照一侧为p型可提高探测频率 1）扩散时间 P型Si 电子扩散进行距离为5μm，扩散系数为3.4ⅹ10-3m2/s 尽量减小这个时间。一般把光敏面做得很薄。 上限频率：43MHz 2）渡越耗尽区的时间 ：光生载流子漂移速度 ：耗尽区的长度 若l长为1μm，vd在晶格散射限制下约为3×107cm/s 约为1×10-11 s 由渡越时间限制的高频限约为1/2πtr 16GHz 减小耗尽区的长度，可减小渡越时间（但会增大结电容） 3）结区电容的影响 Cj：结电容 RL：外负载电阻 频率上限 Aj：结区面积 l：耗尽区宽度 对突变结有 应尽可能地选取较高的反偏压 掺杂浓度越高，结区深度越小，结电容越大，截止频率越低 三种影响因素对比 108~109Hz 结电