《模拟电子技术教学资料》04-第四章-半导体器件制备工艺.pptxVIP

第四章 器件制备技术初步 半导体材料的制备技术 器件制备工艺举例 器件工艺技术总览 器件工艺的环境要求 一、半导体材料的制备技术 单晶提拉法 外延生长法 单晶提拉法 Si晶片的制造过程 外延生长法 外延生长 外延生长—— Epitaxy 非外延生长 epi：在…之上 （on, upon） taxis：规则地安置排列 (orderly arrangement) 衬底 (substrate) 磊晶 （台湾称谓） 外延的种类 化学气相淀积（CVD） Chemical Vapor Deposition MOCVD （金属有机化学气相淀积） 液相外延（LPE） Liquid Phase Epitaxy 分子束外延（MBE） Molecule Beam Epitaxy 液相外延（LPE） Liquid Phase Epitaxy 分子束外延（MBE） Molecule Beam Epitaxy 13 MOCVD Metalorganic Chemical Vapor Deposition （金属有机化学气相淀积） 晶体质量高 重复性好 稳定性好 工艺灵活 易于规模化生产 MOCVD系统组成 AlGaInN材料的外延生长 ---有机金属气相沉淀(MOCVD) 衬底 substrate 气体与MO源 GMS cabinet 控制柜 Control bcabinet 反应室 reactor 真空与排气 Vacuum Exhaust 真空与反应室 Load/Lock 加热器 Heater 第四章 器件制备技术初步 半导体材料的制备技术 器件制备工艺举例 器件工艺技术总览 器件工艺的环境要求 二、器件制备工艺举例 （一）PN结的制备方法 （二） MOSFET的制备工艺 （三） CMOS工艺 （一）pn 结的制作方法 合金法 扩散法 离子注入法 外延生长法 固态Al 方法1. 合金法 方法2. 扩散法 (a)抛光处理后的型硅晶片 (b)采用干法或湿法氧化 工艺的晶片氧化层制作 （d)图形掩膜、曝光 (c)光刻胶层匀胶及坚膜 （f)腐蚀SiO2后的晶片 (e)曝光后去掉扩散窗口膜的晶片 半导体的掺杂—热扩散 半导体的掺杂 方法3. 离子注入法 注入产生晶格损伤 损伤恢复：快速热退火 （RTA） 该方法在现代集成电路的制作工艺中被广泛采用 25 半导体的掺杂—离子注入 半导体的掺杂 Lattice Atoms 离子注入前 Dopant Atom Lattice Atoms 离子注入后 Dopant Atoms Lattice Atoms 热退火 方法4. 外延生长法 外延生长法不仅可以制作同质材料pn结，而且可以制作异质材料pn结 n+ Substrate n p p+ cap layer N electrode P electrode （二）n沟MOSFET制备工艺 P型Si衬底的制备 热氧化SiO2 淀积多晶硅 光刻 腐蚀开窗口 掺杂 钝化保护 电极的形成 NMOS制备流程 P型衬底的制备 NMOS制备流程 热氧化SiO2层 NMOS制备流程 淀积多晶硅 NMOS制备流程 旋涂光刻胶 NMOS制备流程 显影 NMOS制备流程 刻蚀多晶硅 NMOS制备流程 氧化层通常留下一个薄层，以减小离子注入对Si表面带来的晶格损伤，以及通过离子注入掺杂过程中的沟道效应。 刻蚀氧化层 NMOS制备流程 去除光刻胶 NMOS制备流程 源漏掺杂 （离子注入） NMOS制备流程 淀积钝化层 NMOS制备流程 刻蚀接触孔 NMOS制备流程 淀积金属 NMOS制备流程 刻蚀金属 （三）CMOS工艺 （三）CMOS工艺 第四章 器件制备技术初步 半导体材料的制备技术 器件制备工艺举例 器件工艺技术总览 器件工艺的环境要求 三、器件工艺技术总览 光刻 镀膜 掺杂（离子注入、热扩散） 刻蚀（干法、湿法） 绝缘介质膜：热氧化、CVD 金属膜：溅射、电子束蒸发、热蒸发 第四章 器件制备技术初步 半导体材料的制备技术 器件制备工艺举例 器件工艺技术总揽 器件工艺的环境要求 4.1 工艺间(Cleanroom) A room in which the concentration of airborne particles is controlled, and which is constructed and used in a manner to minimise the introduction, generation, and retention o